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1. (WO2007107356) PROCEDE DE PREPARATION DE MATERIAUX SEMICONDUCTEURS ORGANIQUES DOPES ET FORMULE UTILISEE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/107356    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/002510
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 21.03.2007
CIB :
H01L 51/00 (2006.01), C07D 233/24 (2006.01), C07D 235/02 (2006.01), C07D 235/20 (2006.01), C07D 277/66 (2006.01)
Déposants : NOVALED AG [DE/DE]; Tatzberg 49, 01307 Dresden (DE) (Tous Sauf US).
ZEIKA, Olaf [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LUX, Andrea [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
LIMMERT, Michael [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HARTMANN, Horst [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
GRUESSING, André [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WERNER, Ansgar [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
AMMANN, Martin [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : ZEIKA, Olaf; (DE).
LUX, Andrea; (DE).
LIMMERT, Michael; (DE).
HARTMANN, Horst; (DE).
GRUESSING, André; (DE).
WERNER, Ansgar; (DE).
AMMANN, Martin; (DE)
Mandataire : BITTNER, Thomas; Boehmert & Boehmert, Hollerallee 32, 28209 Bremen (DE)
Données relatives à la priorité :
06005687.6 21.03.2006 EP
06005834.4 22.03.2006 EP
Titre (EN) METHOD FOR PREPARING DOPED ORGANIC SEMICONDUCTOR MATERIALS AND FORMULATION UTILIZED THEREIN
(FR) PROCEDE DE PREPARATION DE MATERIAUX SEMICONDUCTEURS ORGANIQUES DOPES ET FORMULE UTILISEE
Abrégé : front page image
(EN)Method for preparing doped organic semiconductor materials comprising the steps: (i) preparing a solution or suspension containing at least one dopant precursor, at least one organic material to be doped and a solvent, (ii) applying the solution or suspension onto a substrate and removing the solvent, (iii) converting the dopant precursor into a dopant by application of activation energy, wherein the dopant precursor is a dimer, oligomer, polymer, dispiro compound or polycycle of the dopant into which the dopant precursor is cleaved by application of activation energy.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé de préparation de matériaux semiconducteurs organiques dopés consistant (i) à préparer une solution ou une suspension contenant au moins un précurseur dopant, au moins un matériau organique à doper et un solvant, (ii) à appliquer la solution ou suspension sur un substrat et à retirer le solvant, (iii) à convertir le précurseur dopant en un dopant par application d'une énergie d'activation, le précurseur dopant étant un dimère, un oligomère, un polymère, un composé dispiro ou un polycycle du dopant obtenu après clivage du précurseur dopant par application de l'énergie d'activation.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)