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1. (WO2007107339) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR AVEC UNE ZONE DOPÉE SUPERFICIELLE CIBLÉE AU MOYEN DE LA DIFFUSION ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR CORRESPONDANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/107339    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/002468
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 20.03.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    18.01.2008    
CIB :
H01L 31/18 (2006.01), H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : INSTITUT FÜR SOLARENERGIEFORSCHUNG (ISFH) [DE/DE]; Am Ohrberg 1 31860 Emmerthal (DE) (Tous Sauf US).
BRENDEL, Rolf [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
TERHEIDEN, Barbara [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
WOLF, Andreas [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : BRENDEL, Rolf; (DE).
TERHEIDEN, Barbara; (DE).
WOLF, Andreas; (DE)
Mandataire : KOPF, Korbinian; Maiwald Patentanwalts GmbH, Elisenhof, Elisenstr. 3, 80335 München (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2006 013 313.7 21.03.2006 DE
Titre (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES MIT EINEM GEZIELT DOTIERTEN OBERFLÄCHENBEREICH UNTER VERWENDUNG VON AUS-DIFFUSION UND ENTSPRECHENDES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A SPECIFICALLY DOPED SURFACE REGION USING OUT-DIFFUSION, AND CORRESPONDING SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR AVEC UNE ZONE DOPÉE SUPERFICIELLE CIBLÉE AU MOYEN DE LA DIFFUSION ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR CORRESPONDANT
Abrégé : front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes, wie zum Beispiel einer Dünnschicht-Solarzelle vorgeschlagen. Das Verfahren umfasst das Bereitstellen eines dotierten Halbleiterträgersubstrats (1), das Erzeugen einer Trennschicht (2), beispielsweise einer porösen Schicht, an einer Oberfläche des Halbleiterträgersubstrats, das Abscheiden einer dotierten Halbleiterschicht (3) über der Trennschicht und das Lösen der abgeschiedenen Halbleiterschicht von dem Halbleiterträgersubstrat. ErfÊndungsgemäß werden während des Herstellungsverfahrens Prozessparameter wie zum Beispiel die Prozesstemperatur und -dauer so gewählt, dass Dotanden aus der Trennschicht in die abgeschiedene Halbleiterschicht diffundieren können, um einen gezielt dotierten Oberflächenbereich (4) zu bilden. Durch gezielten Einsatz von Festkörperdiffusion kann auf diese Weise das Herstellungsverfahren gegenüber herkömmlichen Herstellungsverfahren vereinfacht werden.
(EN)The invention proposes a method for fabricating a semiconductor component, such as a thin-layer solar cell. The method involves providing a doped semiconductor carrier substrate (1), producing a separating layer (2), for example a porous layer, on one surface of the semiconductor carrier substrate, depositing a doped semiconductor layer (3) over the separating layer and detaching the deposited semiconductor layer from the semiconductor carrier substrate. In line with the invention, process parameters such as the process temperature and time are chosen during the fabrication method such that dopants can diffuse from the separating layer into the deposited semiconductor layer in order to form a specifically doped surface region (4). Specific use of solids diffusion makes it possible to simplify the fabrication method over conventional fabrication methods in this manner.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur, comme par exemple une cellule solaire à couche mince. Le procédé consiste à préparer un substrat semi-conducteur porteur (1) dopé, à réaliser une couche de séparation (2), par exemple une couche poreuse, sur une surface du substrat semi-conducteur porteur, à isoler une couche semi-conductrice dopée (3) au moyen de la couche de séparation, et à libérer la couche semi-conductrice isolée du substrat semi-conducteur porteur. Des paramètres de traitement comme par exemple la température et la durée du traitement sont sélectionnés pendant le procédé de fabrication de telle sorte que les dopants de la couche de séparation peuvent se diffuser dans la couche semi-conductrice isolée, et constituer une zone dopée superficielle (4) ciblée. L'introduction ciblée de diffusion de solide permet de cette façon de faciliter le procédé de fabrication par rapport aux procédés de fabrication usuels.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)