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1. (WO2007107048) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM MONOCRISTALLIN ZnO DE GRANDE QUALITÉ SUR SUBSTRAT DE SILICIUM (111)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/107048    N° de la demande internationale :    PCT/CN2006/000644
Date de publication : 27.09.2007 Date de dépôt international : 11.04.2006
CIB :
H01L 33/00 (2006.01), C30B 29/16 (2006.01), H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : THE INSTITUTE OF PHYSICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENSES [CN/CN]; 8 Nansanjie Zhongguancun Haidian District Beijing 100080 (CN) (Tous Sauf US).
DU, Xiaolong [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
WANG, Xina [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
ZENG, Zhaoquan [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
YUAN, Hongtao [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
MEI, Zengxia [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
XUE, Qikun [CN/CN]; (CN) (US Seulement).
JIA, Jinfeng [CN/CN]; (CN) (US Seulement)
Inventeurs : DU, Xiaolong; (CN).
WANG, Xina; (CN).
ZENG, Zhaoquan; (CN).
YUAN, Hongtao; (CN).
MEI, Zengxia; (CN).
XUE, Qikun; (CN).
JIA, Jinfeng; (CN)
Mandataire : KANGXIN PARTNERS, P.C.; Floor 16, Tower A, Indo Building A48 Zhichun Road Haidian District Beijing 10098 (CN)
Données relatives à la priorité :
200610064977.5 20.03.2006 CN
Titre (EN) A METHOD OF MANUFACTURING HIGH QUALITY ZnO MONOCRYSTAL FILM ON SILICON(111) SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM MONOCRISTALLIN ZnO DE GRANDE QUALITÉ SUR SUBSTRAT DE SILICIUM (111)
(ZH) 一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
Abrégé : front page image
(EN)There is provided a method of manufacturing high quality ZnO monocrystal film on silicon (111) substrate, including the following steps: removing silicon oxide on the surface of silicon (111) substrate; depositing metal monocrystal film having 1-10nm thickness, such as Mg, Ca, Sr, Cd etc, at low temperature; oxiding the metal film at low temperature to obstain metal oxide monocrystal layer; depositing ZnO buffer layer at low temperature; depositing ZnO epitaxial layer at high temperature. The ZnO film is suitable for fabrication of high performance of photoelectron device.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de film monocristallin ZnO de grande qualité sur substrat de silicium (111), comprenant les étapes suivantes: l'élimination d'oxyde de silicium sur la surface de substrat de silicium (111); le dépôt d'un film monocristallin métallique ayant un épaisseur de 1 à 10 nm, tel que Mg, Ca, Sr, Cd et analogues, à basse température; l'oxydation du film métallique à basse température pour obtenir une couche monocristalline d'oxyde métallique; le dépôt d'une couche tampon de ZnO à basse température; le dépôt de couche épitaxiale de ZnO à haute température. Le film de ZnO est apte à la fabrication de dispositif photoélectronique de grande efficacité
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)