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1. (WO2007106788) COMPOSITIONS DE PRÉCURSEUR POUR DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE ET POUR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE FILMS DIÉLECTRIQUE DE TITANATE, DE LANTHANATE ET DE TANTALATE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/106788    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/063825
Date de publication : 20.09.2007 Date de dépôt international : 12.03.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    23.01.2008    
CIB :
H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/469 (2006.01)
Déposants : ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. [--/US]; 7 Commerce Drive, Danbury, CT 06810-4169 (US) (Tous Sauf US).
XU, Chongying [US/US]; (US) (US Seulement).
CHEN, Tianniu [CN/US]; (US) (US Seulement).
CAMERON, Thomas, M. [CA/US]; (US) (US Seulement).
ROEDER, Jeffrey, F. [US/US]; (US) (US Seulement).
BAUM, Thomas, H. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : XU, Chongying; (US).
CHEN, Tianniu; (US).
CAMERON, Thomas, M.; (US).
ROEDER, Jeffrey, F.; (US).
BAUM, Thomas, H.; (US)
Mandataire : HULTQUIST, Steven, J.; Intellectual Property/technology Law, P.o.box 14329, Research Triangle Park, NC 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
60/781,291 10.03.2006 US
60/791,299 12.04.2006 US
60/844,867 15.09.2006 US
60/884,728 12.01.2007 US
Titre (EN) PRECURSOR COMPOSITIONS FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION OF TITANATE, LANTHANATE, AND TANTALATE DIELECTRIC FILMS
(FR) COMPOSITIONS DE PRÉCURSEUR POUR DÉPÔT DE COUCHE ATOMIQUE ET POUR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE FILMS DIÉLECTRIQUE DE TITANATE, DE LANTHANATE ET DE TANTALATE
Abrégé : front page image
(EN)Barium, strontium, tantalum and lanthanum precursor compositions useful for atomic layer deposition (ALD) and chemical vapor deposition (CVD) of titanate thin films. The precursors have the formula M(Cp)2, wherein M is strontium, barium, tantalum or lanthanum, and Cp is cyclopentadienyl, of the formula (I), wherein each of R1-R5 is the same as or different from one another, with each being independently selected from among hydrogen, C1-C12 alkyl, C1-C12 amino, C6-C10 aryl, C1-C12 alkoxy, C3-C6 alkylsilyl, C2-C12 alkenyl, R1R2R3NNR3, wherein R1, R2 and R3 may be the same as or different from one another and each is independently selected from hydrogen and C1-C6 alkyl, and pendant ligands including functional group(s) providing further coordination to the metal center M. The precursors of the above formula are useful to achieve uniform coating of high dielectric constant materials in the manufacture of flash memory and other microelectronic devices.
(FR)La présente invention concerne des compositions de précurseur de baryum, de strontium, de tantale et de lanthane qui conviennent pour le dépôt de couche atomique (ADL) et le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) de films minces de titanate. Ces précurseurs sont représentés par la formule M(Cp)2 dans laquelle M est strontium, baryum, tantale ou lanthale et Cp est cyclopentadiènyle de formule (I), chacun des R1-R5 étant semblables ou différents entre eux, chacun étant sélectionné indépendamment parmi hydrogène, C1-C12 alkyle, C1-C12 amino, C6-C10 aryle, C1-C12 alcoxy, C3-C6 alkylsilyle, C2-C12 alkényle, R1R2R3NNR3, et dans cette formule R1, R2 et R3 peuvent être semblables ou différents entre eux et chacun est indépendamment sélectionné parmi hydrogène et C1-C6 alkyle, et des ligands pendants comprenant un ou des groupes fonctionnels fournissant une autre coordination au centre métallique M. Les précurseurs de la formule ci-dessus conviennent pour effectuer un revêtement uniforme de matériaux à constante diélectrique élevée dans la fabrication de mémoire flash et d'autres dispositifs micro-électroniques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)