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1. (WO2007106502) SILICIUM MINCE OU FEUILLES DE GERMANIUM ET PHOTOVOLTAIQUE FORME A PARTIR DE FEUILLES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/106502    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/006357
Date de publication : 20.09.2007 Date de dépôt international : 13.03.2007
CIB :
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/31 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
Déposants : NANOGRAM CORPORATION [US/US]; 165 Topaz Street, Milpitas, CA 95035 (US) (Tous Sauf US).
HIESLMAIR, Henry [US/US]; (US) (US Seulement).
MOSSO, Ronald, J. [US/US]; (US) (US Seulement).
LYNCH, Robert, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
CHIRUVOLU, Shivkumar [US/US]; (US) (US Seulement).
MCGOVERN, William, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
HORNE, Craig, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
SOLAYAPPAN, Narayan [US/US]; (US) (US Seulement).
CORNELL, Ronald, M. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HIESLMAIR, Henry; (US).
MOSSO, Ronald, J.; (US).
LYNCH, Robert, B.; (US).
CHIRUVOLU, Shivkumar; (US).
MCGOVERN, William, E.; (US).
HORNE, Craig, R.; (US).
SOLAYAPPAN, Narayan; (US).
CORNELL, Ronald, M.; (US)
Mandataire : DARDI, Peter, S.; Dardi & Associates, PLLC, Us Bank Plaza, Suite 2000, 220 South 6th Street, Minneapolis, MN 55402 (US)
Données relatives à la priorité :
60/782,115 13.03.2006 US
Titre (EN) THIN SILICON OR GERMANIUM SHEETS AND PHOTOVOLTAICS FORMED FROM THIN SHEETS
(FR) SILICIUM MINCE OU FEUILLES DE GERMANIUM ET PHOTOVOLTAIQUE FORME A PARTIR DE FEUILLES MINCES
Abrégé : front page image
(EN)Thin semiconductor foils can be formed using light reactive deposition. These foils can have an average thickness of less than 100 microns. In some embodiments, the semiconductor foils can have a large surface area, such as greater than about 900 square centimeters. The foil can be free standing or releasably held on one surface. The semiconductor foil can comprise elemental silicon, elemental germanium, silicon carbide, doped forms thereof, alloys thereof or mixtures thereof. The foils can be formed using a release layer that can release the foil after its deposition. The foils can be patterned, cut and processed in other ways for the formation of devices. Suitable devices that can be formed form the foils include, for example, photovoltaic modules and display control circuits.
(FR)La présente invention concerne des feuilles à semi-conducteurs qui peuvent être formées à l'aide d'un dépôt réactif léger. Ces feuilles peuvent avoir une épaisseur moyenne inférieure à 100 microns. Dans certains modes de réalisation, les feuilles à semi-conducteurs peuvent avoir une grande zone de surface, notamment supérieures à environ 900 centimètres carrés. La feuille peut être indépendante ou maintenue de manière amovible sur une surface. La feuille à semi-conducteurs peut comprendre du silicium élémentaire, du germanium élémentaire, du carbure de silicium, des formes dopées de ceux-ci, des alliages ou des mélanges de ceux-ci. Les feuilles peuvent être formées à l'aide d'une couche de libération qui peut libérer la feuille après son dépôt. Les feuilles peuvent être mises en motif, découpées et traitées d'autres manières pour la formation des dispositifs. Des dispositifs adaptés qui peuvent être formés à partir des feuilles incluent, par exemple, des modules photovoltaïques et affichent des circuits de contrôle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)