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1. (WO2007106422) CELLULES DE MOSFET À GRILLE EN TRANCHÉE BLINDÉE (SGT) MISES EN OEUVRE AVEC UN CONTACT DE SOURCE SCHOTTKY
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2007/106422 N° de la demande internationale : PCT/US2007/006165
Date de publication : 20.09.2007 Date de dépôt international : 10.03.2007
CIB :
H01L 29/76 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29
Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66
Types de dispositifs semi-conducteurs
68
commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
76
Dispositifs unipolaires
Déposants : BHALLA, Anup[IN/US]; US (UsOnly)
LUI, Sik, K.[US/US]; US (UsOnly)
ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD.; Canon's Court 22 Victoria Street Hamilton HM12, BM (AllExceptUS)
Inventeurs : BHALLA, Anup; US
LUI, Sik, K.; US
Mandataire : LIN, Bo-In; 13445 Mandoli Drive Los Altos Hills, CA 94022, US
Données relatives à la priorité :
11/373,02410.03.2006US
Titre (EN) SHIELDED GATE TRENCH(SGT) MOSFET CELLS IMPLEMENTED WITH A SCHOTTKY SOURCE CONTACT
(FR) CELLULES DE MOSFET À GRILLE EN TRANCHÉE BLINDÉE (SGT) MISES EN OEUVRE AVEC UN CONTACT DE SOURCE SCHOTTKY
Abrégé :
(EN) This invention discloses a semiconductor power device that includes a plurality of power transistor cells surrounded by a trench opened in a semiconductor substrate. At least one active cell further includes a trenched source contact opened between the trenches wherein the trenched source contact opened through a source region into a body region for electrically connecting the source region to a source metal disposed on top of an insulation layer wherein a trench bottom surface of the trenched source contact further covered with a conductive material to function as an integrated Schottky barrier diode in said active cell. A shielding structure is disposed at the bottom and insulated from the trenched gate to provide shielding effect for both the trenched gate and the Schottky diode.
(FR) L'invention concerne un dispositif de puissance à semi-conducteur comprenant une pluralité de cellules de transistor de puissance entourées par une tranchée ouverte dans un substrat semi-conducteur. Au moins une cellule active comprend également un contact de source à tranchée ouvert entre les tranchées, le contact de source à tranchée étant ouvert à travers une région de source dans une région de corps en vue de la connexion électrique de la région de source à un métal de source disposé au sommet d'une couche isolante. En outre, une surface inférieure de tranchée du contact de source à tranchée est recouverte d'un matériau conducteur fonctionnant comme une diode barrière Schottky intégrée dans la cellule active. Une structure de blindage est disposée au niveau de la partie inférieure de la grille en tranchée et isolée de celle-ci, ce qui permet d'obtenir un effet de blindage pour la grille en tranchée et la diode Schottky.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)