WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007105791) ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR A SURFACE LATERALE ELECTROLUMINESCENTE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/105791    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/055203
Date de publication : 20.09.2007 Date de dépôt international : 15.03.2007
CIB :
H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/14 (2010.01), H01L 33/32 (2010.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01)
Déposants : ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAHARA, Ken; (JP)
Mandataire : MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower 2-8, Toranomon 1-chome Minato-ku Tokyo 1050001 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-071481 15.03.2006 JP
Titre (EN) SIDE SURFACE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SIDE SURFACE LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR A SURFACE LATERALE ELECTROLUMINESCENTE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 側面発光半導体素子及び側面発光半導体素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A side surface light emitting semiconductor element is provided with an AlGaN layer doped with Mg at a concentration of 5×1019cm-3 or less; a stripe-shaped ridge formed at an upper portion of a laminated structure including the AlGaN layer and an active layer; and a Schottky barrier formed on an upper surface of the laminated structure other than the ridge from which the AlGaN layer is exposed.
(FR)La présente invention concerne un élément semi-conducteur à surface latérale électroluminescente comprenant une couche AlGaN dopée avec du Mg à une concentration inférieure ou égale à 5×1019 cm-3, une crête en forme de rayure formée sur une partie supérieure d'une structure stratifiée contenant la couche AlGaN et une couche active, et une barrière de Schottky formée sur une surface supérieure de la structure stratifiée autre que la crête depuis laquelle la couche AlGaN est exposée.
(JA) 側面発光半導体素子は、Mgの濃度が、5×1019cm-3以下にドープされたAlGaN層と、前記AlGaN層及び活性層を含む積層構造の上部に形成されるストライプ状のリッジと、前記AlGaN層が露出する前記リッジ以外の前記積層構造の上面に形成されるショットキーバリアとを備える。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)