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1. (WO2007105727) PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/105727    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/054965
Date de publication : 20.09.2007 Date de dépôt international : 13.03.2007
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
NISHIZUKA, Tetsuya [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NISHIZUKA, Tetsuya; (JP)
Mandataire : YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office, Room 323, Fuji Bldg., 2-3, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-067735 13.03.2006 JP
Titre (EN) PLASMA ETCHING METHOD
(FR) PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA
(JA) プラズマエッチング方法
Abrégé : front page image
(EN)A method for performing etching process by using plasma of a processing gas. The etching process is performed to a body (W) to be processed, which has a substrate (101), base films (102, 103) formed on the substrate, and a film (104) which is to be etched and is formed on the base films. As the processing gas, a main etching gas composed of a chlorine containing gas and an oxygen containing gas, and a nitrogen containing gas is used. The etching method is characterized in that etching is performed under the conditions where the ratio N2+/N2 of the strength of N2+ obtained from the plasma emission spectrum to the strength of N2 is 0.6 or higher.
(FR)La présente invention concerne un procédé destiné à réaliser une gravure au moyen de plasma d'un gaz de traitement. Le procédé de gravure est effectué sur un corps (W) à traiter, qui a un substrat (101), des films de base (102, 103) formés sur le substrat, et un film (104) devant être gravé et formé sur les films de base. En tant que gaz de traitement, on utilise un gaz principal de gravure composé d'un gaz contenant du chlore et d'un gaz contenant de l'oxygène et d'un gaz contenant de l'azote. Le procédé de gravure est caractérisé en ce que la gravure est effectuée dans les conditions où le rapport N2+/N2 de la force de N2+ obtenue à partir du spectre d'émission de plasma sur la force de N2 est supérieur ou égal à 0,6.
(JA) 本発明は、処理ガスのプラズマを用いたエッチング処理を行う方法に関する。このエッチング処理は、基板(101)と、この基板上に形成された下地膜(102,103)と、この下地膜上に形成されたエッチング対象膜(104)とを有する被処理体(W)に対して行われる。処理ガスとして、塩素含有ガスおよび酸素含有ガスからなる主エッチングガスと、窒素含有ガスとを用いる。このエッチング方法は、プラズマの発光スペクトルから求められるN の強度とNの強度との比N /Nが0.6以上となるような条件でエッチングを行うことを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)