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1. WO2007105432 - PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM A BASE DE Ti ET SUPPORT DE STOCKAGE

Numéro de publication WO/2007/105432
Date de publication 20.09.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/053152
Date du dépôt international 21.02.2007
CIB
C23C 16/44 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/14 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
06caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
08à partir d'halogénures métalliques
14Dépôt d'un seul autre élément métallique
CPC
C23C 16/14
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
06characterised by the deposition of metallic material
08from metal halides
14Deposition of only one other metal element
C23C 16/4405
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
44characterised by the method of coating
4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
4405Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
C23C 16/56
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
16Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
56After-treatment
C23C 8/36
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
8Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces
06using gases
36using ionised gases, e.g. ionitriding
Déposants
  • 東京エレクトロン株式会社 TOKYO ELECTRON LIMITED [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 成嶋 健索 NARUSHIMA, Kensaku [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 若林 哲 WAKABAYASHI, Satoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 多田 國弘 TADA, Kunihiro [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 成嶋 健索 NARUSHIMA, Kensaku
  • 若林 哲 WAKABAYASHI, Satoshi
  • 多田 國弘 TADA, Kunihiro
Mandataires
  • 高山 宏志 TAKAYAMA, Hiroshi
Données relatives à la priorité
2006-04831124.02.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR FORMING Ti-BASED FILM AND STORAGE MEDIUM
(FR) PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM A BASE DE Ti ET SUPPORT DE STOCKAGE
(JA) Ti系膜の成膜方法および記憶媒体
Abrégé
(EN)
In a chamber (31) for storing a wafer (W), a Ti film is formed on the surface of the wafer (W) arranged in the chamber (31) by discharging a processing gas including a TiCl4 gas from a shower head (40) whose at least surface is composed of a Ni containing material. The Ti film is formed on a prescribed number of wafers (W) by setting the temperature of the shower head (40) at 300°C or higher but lower than 450°C, and a TiCl4 gas flow quantity at 1-12mL/min(sccm) or TiCl4 partial pressure at 0.1-2.5Pa. Then, ClF3 gas is introduced into the chamber (31) by setting the temperature of the shower head (40) at 200-300°C, and the inside of the chamber (31) is cleaned.
(FR)
Selon la présente invention, dans une chambre (31) destinée au stockage d'une galette (W), un film à base de Ti est formé sur la surface de la galette (W) disposée dans la chambre (31) en libérant un gaz de traitement comprenant un gaz TiCl4 provenant d'une tête de douche (40) dont au moins la surface est composée d'un matériau contenant du Ni. Le film à base de Ti est formé sur un nombre prédéfini de galettes (W) en établissant la température de la tête de douche (40) à une valeur supérieure ou égale à 300 °C mais inférieure à 450 °C, et le débit du gaz TiCl4 à une valeur allant de 1 à 12 mL/min (cm3/min) ou une pression partielle en TiCl4 à une valeur allant de 0,1 à 2,5 Pa. Puis, le gaz ClF3 est introduit dans la chambre (31) en établissant la température de la tête de douche (40) à une valeur allant de 200 à 300 °C, et l'intérieur de la chambre (31) est nettoyé.
(JA)
 ウエハWを収容するチャンバ31内において、少なくとも表面がNi含有材料からなるシャワーヘッド40からTiClガスを含む処理ガスを吐出させてチャンバ31内に配置されたウエハWの表面にTi膜を成膜するにあたり、シャワーヘッド40の温度を300°C以上450°C未満の温度にし、TiClガス流量を1~12mL/min(sccm)にするか、またはTiClガス分圧を0.1~2.5Paにして所定枚数のウエハWに対してTi膜を成膜し、その後、シャワーヘッド40の温度を200~300°Cにしてチャンバ31内にClFガスを導入してチャンバ31内をクリーニングする。
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