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1. (WO2007105261) PROCEDE DE GRAVURE SECHE DE FILM D'ISOLATION INTERCOUCHE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/105261    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/304625
Date de publication : 20.09.2007 Date de dépôt international : 09.03.2006
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : PHILTECH INC. [JP/JP]; 4-3-4, Kojimachi, Chiyoda-ku Tokyo 1020083 (JP) (Tous Sauf US).
HAYASHI, Toshio [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HAYASHI, Toshio; (JP)
Mandataire : KURIHARA, Hiroyuki; Kurihara International Patent Office, Iwasaki Bldg. 6F, 3-15, Hiroo 1-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1500012 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD OF DRY ETCHING OF INTERLAYER INSULATION FILM
(FR) PROCEDE DE GRAVURE SECHE DE FILM D'ISOLATION INTERCOUCHE
(JA) 層間絶縁膜のドライエッチング方法
Abrégé : front page image
(EN)In the microfabrication of hole and trench through dry etching, in a plasma atmosphere, of an interlayer insulation film covered with a resist mask formed by ArF photolithography, as the etching gas, use is made of a halogen (F, I, Br) base gas consisting of a gas of fluorinated carbon compound wherein at least one of I and Br is contained in an amount, in terms of atomic composition ratio, of 26% or less based on the total amount of halogens and the rest consists of F. As a result, the occurrence of striation is suppressed and high etching processing accuracy can be attained.
(FR)Dans la microfabrication d'un orifice et d'une tranchée par le biais de la gravure sèche, dans une atmosphère de plasma, d'un film d'isolation intercouche recouvert d'un masque de résist formé par photolithographie ArF, en tant que gaz de gravure, on fait usage d'un gaz à base d'halogène (F, I, Br) consistant en un gaz de composé de carbone fluoré dans lequel au moins un parmi I et Br est contenu dans une quantité, en termes de rapport de composition atomique, de 26 % sur la base de la quantité totale d'halogènes et le reste consiste en F. Par conséquent, l'apparition d'une striation est supprimée et une précision de traitement par gravure élevée peut être atteinte.
(JA)ArFフォトリソグラフィ法により形成したレジストマスクで覆われた層間絶縁膜をプラズマ雰囲気中でドライエッチングしてホール、トレンチを微細加工する際に、エッチングガスとして、ハロゲン系ガス(ハロゲンは、F、I、Br)であって、I及びBrの少なくとも一方が、原子組成比でハロゲンの総量の26%以下で、残りがFであるフッ化炭素化合物ガスを用いる。これによりストリエーションの発生が抑制されて高いエッチング加工精度が得られるようになる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)