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1. (WO2007105155) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/105155    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/050786
Date de publication : 20.09.2007 Date de dépôt international : 09.03.2007
CIB :
H01L 21/331 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/732 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [NL/NL]; High Tech Campus 60, NL-5656 AG Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM VZW [BE/BE]; Kapeldreef 75, B-3001 Leuven (BE) (Tous Sauf US).
VAN NOORT, Wibo, D. [NL/US]; (GB) (US Seulement).
SONSKY, Jan [CZ/BE]; (GB) (US Seulement).
PIONTEK, Andreas, M. [DE/BE]; (GB) (US Seulement)
Inventeurs : VAN NOORT, Wibo, D.; (GB).
SONSKY, Jan; (GB).
PIONTEK, Andreas, M.; (GB)
Mandataire : WHITE, Andrew, G.; c/o NXP Semiconductors, IP Department, Cross Oak Lane, Redhill Surrey RH1 5HA (GB)
Données relatives à la priorité :
06110950.0 10.03.2006 EP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING A BIPOLAR TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSISTOR BIPOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method of manufacturing a bipolar transistor on a semiconductor substrate (11) which is provided with a first, a second and a third layer (1,2,3) of a first, second and third semiconductor material respectively, all of a first conductivity type. A first portion of the second layer (2) is transformed into a buried isolation region (15) comprising a first electrically insulating material. A first semiconductor region (6) of the first conductivity type, comprising, for example, a collector region, is formed from a second portion of the second layer (2) adjoining the buried isolation region (15) and a portion of the first layer (1) adjoining the second portion of the second layer (2). Then a base region (7) is formed on the buried isolation region (15) and on the first semiconductor region (6) by transforming the third layer (3) into a second conductivity type, which is opposite to the first conductivity type. Thereafter a second semiconductor region (8) of the first conductivity type, comprising, for example, an emitter region, is formed on a part of the base region (7). This method provides for the formation of a bipolar transistor with an advantageous decrease of the extrinsic collector to base region (6,7) capacitance by the fact that the value of this capacitance is mainly determined by the buried isolation region (15) which has a substantially lower dielectric constant than that of the collector to base region (6,7) junction.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'un transistor bipolaire sur un substrat semi-conducteur (11) qui est pourvu d'une première, d'une deuxième et d'une troisième couches (1,2,3) respectivement d'un premier, d'un deuxième et d'un troisième matériaux semi-conducteurs, tous d'un premier type de conductivité. Une première partie de la deuxième couche (2) est transformée en zone d'isolation enfouie (15) comportant un premier matériau électriquement isolant. Une première zone semi-conductrice (6) du premier type de conductivité, comportant, par exemple, une zone collecteur, est constituée d'une deuxième partie de la deuxième couche (2) adjacente à la zone d'isolation enfouie (15) et d'une partie de la première couche (1) adjacente à la deuxième partie de la deuxième couche (2). Ensuite une zone de base (7) est formée sur la zone d'isolation enfouie (15) et sur la première zone semi-conductrice (6) par transformation de la troisième couche (3) en un deuxième type de conductivité, opposé au premier type de conductivité. Ensuite une deuxième zone semi-conductrice (8) du premier type de conductivité comportant, par exemple, une zone émetteur est formée sur une partie de la zone base (7). Ce procédé permet la formation d'un transistor bipolaire avec une diminution avantageuse de la capacité extrinsèque de la zone collecteur-base (6,7), la valeur de cette capacité étant principalement déterminée par la zone d'isolation enfouie (15) dont la constante diélectrique est sensiblement inférieure à celle de la jonction de la zone collecteur-base (6,7).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)