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1. (WO2007104767) procédé de fabrication d'une structure comprenant au moins une mince couche DE matériau amorphe obtenu par épitaxie sur un substrat support et structure obtenue selon ledit procédé
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/104767    N° de la demande internationale :    PCT/EP2007/052372
Date de publication : 20.09.2007 Date de dépôt international : 13.03.2007
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Parc Technologique des Fontaines,, Chemin des Franques, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
HEBRAS, Xavier [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : HEBRAS, Xavier; (FR)
Mandataire : SCHRIMPF, WARCOIN, AHNER, TEXIER, LE FORESTIER, CALLON DE LAMARCK, COLLIN, TETAZ-CABINET REGIMBEAU; 20, rue de Chazelles, F-75847 Paris Cedex 17 (FR)
Données relatives à la priorité :
06/02178 13.03.2006 FR
Titre (EN) METHOD FOR MAKING A STRUCTURE COMPRISING AT LEAST ONE THIN LAYER IN AN AMORPHOUS MATERIAL OBTAINED BY EPITAXY ON A SUPPORTING SUBSTRATE AND STRUCTURE OBTAINED ACCORDING TO SAID METHOD
(FR) procédé de fabrication d'une structure comprenant au moins une mince couche DE matériau amorphe obtenu par épitaxie sur un substrat support et structure obtenue selon ledit procédé
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a method for making a structure comprising at least one thin layer on a supporting substrate, remarkable in that it includes at least steps for forming from said supporting substrate a so-called intermediate structure comprising an amorphous layer, a first crystalline layer containing point defects and located immediately underneath said amorphous layer, a second crystalline layer located in the lower portion of the intermediate structure; bonding a receiving substrate on the upper face of said intermediate structure; removing the layer of the intermediate structure in which point defects have formed so that amorphous layer forms the upper layer of the intermediate structure. Another object of the invention relates to a substrate comprising at least one thin layer in an amorphous material on a supporting substrate, remarkable in that it comprises a receiving substrate, a central crystalline layer and an amorphous layer, said receiving substrate, the crystalline layer and the amorphous layer not having any EOR type point defect.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure comprenant au moins une mince couche sur un substrat support, comprenant au moins les étapes consistant à former à partir dudit substrat support une structure intermédiaire comprenant une couche amorphe, une première couche cristalline contenant des défauts ponctuels et située juste sous ladite couche amorphe, une seconde couche cristalline située dans la partie inférieure de la structure intermédiaire ; coller un substrat de réception sur la face supérieure de ladite structure intermédiaire ; retirer la couche de la structure intermédiaire dans laquelle des défauts ponctuels se sont formés de sorte que la couche amorphe constitue la couche supérieure de la structure intermédiaire. Un autre objet de l'invention concerne un substrat comprenant au moins une mince couche de matériau amorphe sur un substrat support, comprenant un substrat de réception, une couche cristalline centrale et une couche amorphe, ledit substrat de réception, la couche cristalline et la couche amorphe ne présentant pas de défauts ponctuels de type EOR.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)