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1. (WO2007103972) dispositif thermoélectrique vertical à facteur de remplissage élevé
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/103972    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/063481
Date de publication : 13.09.2007 Date de dépôt international : 07.03.2007
CIB :
H01L 35/32 (2006.01)
Déposants : NANOCOOLERS, INC. [US/US]; 5307 Industrial Oaks Blvd., Suite 100, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
GHOSHAL, Uttam [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : GHOSHAL, Uttam; (US)
Mandataire : CAVE, Nicole Teitler; Zagorin O'brien Graham Llp, 7600B N. Capital of Texas Hwy, Ste. 350, Austin, TX 78731 (US)
Données relatives à la priorité :
60/780,299 08.03.2006 US
Titre (EN) HIGH FILL-FACTOR VERTICAL THERMOELECTRIC DEVICE
(FR) dispositif thermoélectrique vertical à facteur de remplissage élevé
Abrégé : front page image
(EN)A high fill-factor complementary vertical thermoelectric device is described. In some embodiments, a plurality of lower electrodes is disposed upon a supporting structure. Pairs of thermoelectric elements of complementary conductivity type are disposed on the lower electrodes, such that each lower electrode couples together a respective complementary pair of adjacent thermoelectric elements disposed thereon. A conformal dielectric layer is formed over the thermoelectric elements of one conductivity type, the thickness of the conformal layer on the sidewalls of these elements determining the spacing between adjacent pairs of complementary thermoelectric elements. A plurality of upper electrodes, each straddling a pair of adjacent lower electrodes and coupling together a complementary pair of adjacent thermoelectric elements may complete the high fill-factor complementary thermoelectric device.
(FR)L'invention concerne un dispositif thermoélectrique vertical complémentaire à facteur de remplissage élevé. Dans certains modes de réalisation, une pluralité d'électrodes inférieures sont disposées sur une structure support. Des paires d'éléments thermoélectriques de type de conductivité complémentaire sont disposées sur les électrodes inférieures, de telle sorte que chaque électrode inférieure couple une paire complémentaire respective d'éléments thermoélectriques adjacents disposés sur celle-ci. Une couche diélectrique conformée est formée au-dessus des éléments thermoélectriques d'un type de conductivité, l'épaisseur de la couche conformée sur les parois latérales de ces éléments déterminant l'espacement entre des paires adjacentes d'éléments thermoélectriques complémentaires. Une pluralité d'électrodes supérieures, chacune chevauchant une paire d'électrodes inférieures adjacentes et couplant une paire complémentaire d'éléments thermoélectriques adjacents peut compléter le dispositif thermoélectrique complémentaire à facteur de remplissage élevé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)