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1. (WO2007103610) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR TRANSISTOR MOS DE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/103610    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/061843
Date de publication : 13.09.2007 Date de dépôt international : 08.02.2007
CIB :
H01L 29/16 (2006.01), H01L 21/332 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
ZHU, Ronghua [US/US]; (US) (US Seulement).
BOSE, Amitava [US/US]; (US) (US Seulement).
KHEMKA, Vishnu K. [IN/US]; (US) (US Seulement).
ROGGENBAUER, Todd C. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHU, Ronghua; (US).
BOSE, Amitava; (US).
KHEMKA, Vishnu K.; (US).
ROGGENBAUER, Todd C.; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD: PL02, Austin, TX 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/361,624 24.02.2006 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR A STEPPED-DRIFT MOSFET
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR TRANSISTOR MOS DE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)A power metal-oxide-semiconductor field effect transistor (MOSFET) (100) incorporates a stepped drift region including a shallow trench insulator (STI) (112) partially overlapped by the gate (114) and which extends a portion of the distance to a drain region (122). A silicide block extends from and partially overlaps STI (112) and drain region (122). The STI (112) has a width that is approximately 50% to 75% of the drift region.
(FR)L'invention porte sur un transistor à effet de champ 'métal-oxyde semiconducteur' de puissance (MOSFET) (100) qui comprend une zone de migration à paliers comportant un matériau isolant pour tranchée peu profonde (112) chevauché partiellement par la grille (114) et qui s'étend sur une certaine distance par rapport à la région de drain (122). Un bloc de siliciure s'étend depuis la région de drain (122) et chevauche partiellement le matériau isolant pour tranchée peu profonde (112) et la région de drain (122). Le matériau isolant pour tranchée peu profonde (112) a une largeur comprise approximativement entre 50 % et 75 % de la zone de migration.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)