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1. (WO2007103603) DIODES ZENER ISOLÉES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/103603    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/061337
Date de publication : 13.09.2007 Date de dépôt international : 31.01.2007
CIB :
H01L 29/00 (2006.01), H01L 29/866 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
ZHU, Ronghua [US/US]; (US) (US Seulement).
KHEMKA, Vishnu K. [IN/US]; (US) (US Seulement).
BOSE, Amitava [US/US]; (US) (US Seulement).
ROGGENBAUER, Todd [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHU, Ronghua; (US).
KHEMKA, Vishnu K.; (US).
BOSE, Amitava; (US).
ROGGENBAUER, Todd; (US)
Mandataire : KING, Robert L.; 7700 W. Parmer Lane, MD:PL02, Austin, Texas 78729 (US)
Données relatives à la priorité :
11/364,769 28.02.2006 US
Titre (EN) ISOLATED ZENER DIODES
(FR) DIODES ZENER ISOLÉES
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure relates to isolated Zener diodes (100) that are substantially free of substrate current injection when forward biased. In particular, the Zener diodes (100) include an “isolation tub” structure that includes surrounding walls (150, 195) and a base (130) formed of semiconductor regions. In addition, the diodes (100) include silicide block (260) extending between anode (210) and cathode (220) regions. The reduction or elimination of substrate current injection overcomes a significant shortcoming of conventional Zener diodes that generally all suffer from substrate current injection when they are forward biased. Due to this substrate current injection, the current from each of a conventional diode's two terminals is not the same.
(FR)La présente invention porte sur des diodes Zener isolées (100) qui sont sensiblement exemptes d'injection de courant dans le substrat lorsqu'elles sont polarisées en direct. Les diodes Zener (100) comprennent une structure de 'cuvette isolante' comportant des parois d'entourage (150, 195) et une base (130) constituée de régions de semi-conducteurs. De plus, les diodes (100) comprennent un bloc de siliciure (260) s'étendant entre l'anode (210) et la cathode (220). La réduction ou l'élimination de l'injection de courant dans le substrat permet de vaincre une faiblesse importante des diodes Zener traditionnelles qui souffrent toutes généralement de l'injection de courant dans le substrat lorsqu'elles sont polarisées vers l'avant. Du fait de l'injection de courant dans le substrat, le courant provenant de chacune des deux bornes d'une diode traditionnelle n'est pas le même.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)