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1. (WO2007103527) LASER À LUMIÈRE ROUGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/103527    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/005974
Date de publication : 13.09.2007 Date de dépôt international : 07.03.2007
CIB :
H01S 5/00 (2006.01), H01L 31/0256 (2006.01), H01S 3/082 (2006.01), H01S 5/183 (2006.01)
Déposants : BRENNER, Mary, K. [US/US]; (US).
JOHNSON, Klein, L. [US/US]; (US)
Inventeurs : BRENNER, Mary, K.; (US).
JOHNSON, Klein, L.; (US)
Mandataire : NEILS, Theodore, F.; Kinney & Lange, P.A., 312 South Third Street, Minneapolis, MN 55415 (US)
Données relatives à la priorité :
60/780,267 07.03.2006 US
Titre (EN) RED LIGHT LASER
(FR) LASER À LUMIÈRE ROUGE
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor material vertical cavity surface emitting laser for emitting narrow linewidth light comprising a compound semiconductor material substrate and pairs of semiconductor material layers in a first mirror structure on the substrate of a first conductivity type each differing from that other in at least on constituent concentration and each first mirror pair separate from that one remaining by a first mirror spacer layer with a graded constituent concentration. An active region on the first mirror structure has plural quantum well structures separated by at least one active region spacer layer and there is a second mirror structure on the active region similar to the first but of a second conductivity type. A pair of electrical interconnections is separated by said substrate, said first mirror structure, said active region and said second mirror structure.
(FR)L'invention concerne un laser à émission par la surface d'une cavité verticale en matériau semiconducteur destiné à émettre une lumière à largeur de spectre étroite comprenant un substrat en matériau semiconducteur composé et des paires de couches de matériau semiconducteur dans une première structure miroir sur le substrat d'un premier type de conductivité chacun étant différent de l'autre dans au moins une concentration constituante et chaque première paire de miroirs étant séparée de celle restante par une première couche d'espaceur miroir avec une concentration constituante calibrée. Une zone active sur la première structure miroir possède plusieurs structures de puits quantique séparées par au moins une couche d'espaceur de zone active et une seconde structure miroir qui se trouve sur la zone active similaire à la première mais qui possède un second type de conductivité. Une paire d'interconnexions électriques est séparée par ce substrat, cette première structure miroir, cette zone active et cette seconde structure miroir.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)