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1. WO2007103419 - STRUCTURES ET CONCEPTIONS POUR AMELIORER L'EFFICACITE ET REDUIRE LA TENSION SUR DES DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS D'HETEROSTRUCTURE III-NITRURE

Numéro de publication WO/2007/103419
Date de publication 13.09.2007
N° de la demande internationale PCT/US2007/005806
Date du dépôt international 06.03.2007
CIB
H01L 29/732 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
66Types de dispositifs semi-conducteurs
68commandables par le seul courant électrique fourni ou par la seule tension appliquée, à une électrode qui ne transporte pas le courant à redresser, amplifier ou commuter
70Dispositifs bipolaires
72Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
73Transistors bipolaires à jonction
732Transistors verticaux
CPC
B82Y 20/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
20Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
H01L 29/155
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
15Structures with periodic or quasi periodic potential variation, e.g. multiple quantum wells, superlattices
151Compositional structures
152with quantum effects only in vertical direction, i.e. layered structures with quantum effects solely resulting from vertical potential variation
155Comprising only semiconductor materials
H01L 29/2003
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
02Semiconductor bodies ; ; Multistep manufacturing processes therefor
12characterised by the materials of which they are formed
20including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
2003Nitride compounds
H01S 2301/173
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
17Semiconductor lasers comprising special layers
173The laser chip comprising special buffer layers, e.g. dislocation prevention or reduction
H01S 5/3201
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
32comprising PN junctions, e.g. hetero- or double- heterostructures
3201incorporating bulkstrain effects, e.g. strain compensation, strain related to polarisation
H01S 5/34333
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
30Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
34comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well lasers [SQW-lasers], multiple quantum well lasers [MQW-lasers] or graded index separate confinement heterostructure lasers [GRINSCH-lasers]
343in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser ; , InP-based laser
34333with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser
Déposants
  • THE ARIZONA BOARD OF REGENTS, A BODY CORPORATE ACTING ON BEHALF OF ARIZONA STATE UNIVERSITY [US]/[US] (AllExceptUS)
  • SRINIVASAN, Sridhar [IN]/[US] (UsOnly)
  • PONCE, Fernando, A. [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • SRINIVASAN, Sridhar
  • PONCE, Fernando, A.
Mandataires
  • HARPER, David, S.
Données relatives à la priorité
60/779,69106.03.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) STRUCTURES AND DESIGNS FOR IMPROVED EFFICIENCY AND REDUCED STRAIN III-NITRIDE HETEROSTRUCTURE SEMICONDUCTOR DEVICES
(FR) STRUCTURES ET CONCEPTIONS POUR AMELIORER L'EFFICACITE ET REDUIRE LA TENSION SUR DES DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS D'HETEROSTRUCTURE III-NITRURE
Abrégé
(EN)
The present invention provides semiconductor structures, and methods for making semiconductor structures, comprising an InA1N and/or InA1GaN strain relief layer that have a lattice constant larger than that of a substrate film upon which it is grown such that it allows the growth of strain-free or low-strain semiconductor devices.
(FR)
La présente invention concerne des structures à semi-conducteurs et des procédés pour réaliser des structures à semi-conducteurs, comprenant une couche de libération de la tension InA1N et/ou InA1GaN qui dispose d'une constante de treillis plus grande que celle d'un film de substrat sur lequel il pousse de sorte qu'il permette la croissance de dispositifs à semi-conducteurs avec peu ou pas de tension.
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