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1. (WO2007102610) PROCEDE DE DEVELOPPEMENT DE MONOCRISTAL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/102610    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/054744
Date de publication : 13.09.2007 Date de dépôt international : 05.03.2007
CIB :
C30B 29/38 (2006.01), C30B 9/10 (2006.01)
Déposants : NGK Insulators, Ltd. [JP/JP]; 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi 4678530 (JP) (Tous Sauf US).
OSAKA UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Yamadaoka, Suita-shi, Osaka 5650871 (JP) (Tous Sauf US).
TOYODA GOSEI CO., LTD. [JP/JP]; 1 Aza Nagahata, Ooaza Ochiai, Haruhi-cho, Nishikasugai-gun, Aichi 4520961 (JP) (Tous Sauf US).
IWAI, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SHIMODAIRA, Takanao [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIGASHIHARA, Shuhei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SASAKI, Takatomo [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORI, Yusuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KAWAMURA, Fumio [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMASAKI, Shiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HIRATA, Koji [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IWAI, Makoto; (JP).
SHIMODAIRA, Takanao; (JP).
HIGASHIHARA, Shuhei; (JP).
SASAKI, Takatomo; (JP).
MORI, Yusuke; (JP).
KAWAMURA, Fumio; (JP).
YAMASAKI, Shiro; (JP).
HIRATA, Koji; (JP)
Mandataire : HOSODA, Masutoshi; Jowa Takanawa BLDG. 7F 5-4, Takanawa 1-chome Minato-ku, Tokyo 108-0074 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-059761 06.03.2006 JP
Titre (EN) SINGLE CRYSTAL GROWING METHOD
(FR) PROCEDE DE DEVELOPPEMENT DE MONOCRISTAL
(JA) 単結晶の育成方法
Abrégé : front page image
(EN)A single crystal is grown by melting a material in a container (1) under a nitrogen containing non oxidative atmosphere. The single crystal is grown by swinging the container (1), in a status where an agitating medium (12) composed of a solid material made of a mixed melt (10) and a nonreactive material is brought into contact with the mixed melt (10).
(FR)Selon la présente invention, on développe un monocristal en faisant fondre un matériau dans un récipient (1) sous une atmosphère non oxydante contenant de l'azote. On développe le monocristal en balançant le récipient (1), dans un état où un milieu d'agitation (12) composé d'un matériau solide fait d'un mélange fondu (10) et d'un matériau non-réactif est mis en contact avec le mélange fondu (10).
(JA)窒素含有非酸化性雰囲気下で容器1内で原料を溶融させることによって単結晶を育成するのに際して、この混合融液10と非反応性の材質からなる固形物からなる攪拌媒体12を混合融液10に接触させた状態で容器1を揺動させながら単結晶を育成する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)