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1. (WO2007102483) ELEMENT ET DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATILE ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/102483    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/054277
Date de publication : 13.09.2007 Date de dépôt international : 06.03.2007
CIB :
H01L 27/10 (2006.01), G11C 13/00 (2006.01)
Déposants : MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (Tous Sauf US).
KAWASHIMA, Yoshio; (US Seulement).
TAKAGI, Takeshi; (US Seulement).
MIKAWA, Takumi; (US Seulement).
WEI, Zhiqiang; (US Seulement)
Inventeurs : KAWASHIMA, Yoshio; .
TAKAGI, Takeshi; .
MIKAWA, Takumi; .
WEI, Zhiqiang;
Mandataire : Patent Corporate Body ARCO PATENT OFFICE; 3rd Fl., Bo-eki Bldg., 123-1, Higashimachi, Chuo-ku, Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-062316 08.03.2006 JP
Titre (EN) NONVOLATILE STORAGE ELEMENT, NONVOLATILE STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH ELEMENT AND DEVICE
(FR) ELEMENT ET DISPOSITIF DE STOCKAGE NON VOLATILE ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 不揮発性記憶素子、不揮発記憶装置、及びそれらの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A nonvolatile storage element is provided with a lower electrode layer (2); an upper electrode layer (4) formed above the lower electrode layer (2); and a metal oxide thin film layer (3) formed between the lower electrode layer (2) and the upper electrode layer (4). The metal oxide thin film layer (3) includes a first region (3a) wherein a resistance value increases or reduces by an electrical pulse given between the lower electrode layer (2) and the upper electrode layer (4); and a second region (3b) which is arranged on the circumference of the first region (3a) and includes more oxygen than that in the first region (3a). The lower electrode layer (2) and at least the upper electrode layer (4) or the first region (3a) are arranged to be one on the other when viewed from the thickness direction of the first region (3a).
(FR)La présente invention concerne un élément de stockage non volatile muni d'une couche d'électrode inférieure (2), d'une couche d'électrode supérieure (4) formée au-dessus de la couche inférieure (2) et d'une couche de film mince d'oxyde de métal (3) formée entre la couche d'électrode inférieure (2) et la couche d'électrode supérieure (4). La couche de film mince d'oxyde de métal (3) comprend une première région (3a) dans laquelle une valeur de résistance augmente ou diminue en fonction d'une impulsion électrique donnée entre la couche d'électrode inférieure (2) et la couche d'électrode supérieure (4) et une seconde région (3b) disposée sur la circonférence de la première (3a) et qui inclut plus d'oxygène que dans la première région (3a). La couche d'électrode inférieure (2) et au moins la couche d'électrode supérieure (4) ou la première région (3a) sont disposées pour être l'une sur l'autre lorsqu'on les regarde dans la direction de l'épaisseur de la première région (3a).
(JA) 下部電極層2と、下部電極層2より上方に形成された上部電極層4と、下部電極層2と上部電極層4との間に形成される金属酸化物薄膜層3とを備え、金属酸化物薄膜層3は、下部電極層2と上部電極層4との間に与えられる電気的パルスにより抵抗値が増加または減少する第1の領域3aと、第1の領域3aの周囲に配され、第1の領域3aよりも酸素の含有量が多い第2の領域3bとを含み、下部電極層2及び上部電極層4と第1の領域3aの少なくとも一部とが、第1の領域3aの厚み方向から見て重なるように配されている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)