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1. (WO2007102471) SURFACE PHOTOELECTRIQUE, TUBE ELECTRONIQUE LA CONTENANT ET PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE SURFACE PHOTOELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/102471    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/054206
Date de publication : 13.09.2007 Date de dépôt international : 05.03.2007
CIB :
H01J 1/34 (2006.01), H01J 9/12 (2006.01), H01J 40/16 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Hamamatsu-shi, Shizuoka4358558 (JP) (Tous Sauf US).
YAMASHITA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
WATANABE, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUZUKI, Kengo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMASHITA, Shinichi; (JP).
WATANABE, Hiroyuki; (JP).
SUZUKI, Hideaki; (JP).
SUZUKI, Kengo; (JP)
Mandataire : HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg., 10-6Ginza 1-chome, Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-063031 08.03.2006 JP
Titre (EN) PHOTOELECTRIC SURFACE, ELECTRON TUBE COMPRISING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING PHOTOELECTRIC SURFACE
(FR) SURFACE PHOTOELECTRIQUE, TUBE ELECTRONIQUE LA CONTENANT ET PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE SURFACE PHOTOELECTRIQUE
(JA) 光電面、それを備える電子管及び光電面の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a photoelectric surface wherein the quantum efficiency is improved. Specifically disclosed is a photoelectric surface (10) comprising a light transmissive substrate (12) composed of a quartz glass or a borosilicate glass, an intermediate layer (14) composed of hafnium oxide (HfO2), a foundation layer (16) composed of an oxide of manganese, magnesium or titanium, and a photoelectron-emitting layer (18) composed of a compound of an alkali metal and antimony. The intermediate layer composed of hafnium oxide prevents the alkali metal contained in the photoelectron-emitting layer from moving into the light transmissive substrate, thereby contributing to improvement of the quantum efficiency.
(FR)Surface photoélectrique dont on a amélioré le rendement quantique. L'invention concerne en particulier une surface photoélectrique (10) comprenant un substrat (12) transparent à la lumière composé de verre de quartz ou de verre borosilicate, une couche intermédiaire (14) composée d'oxyde d'hafnium (HfO2), une couche de base (16) composée d'un oxyde de manganèse, de magnésium ou de titane et une couche émettrice de photo-électrons (18) faite d'un composé d'un métal alcalin et d'antimoine. La couche intermédiaire composée d'oxyde d'hafnium empêche le métal alcalin contenu dans la couche émettrice de photo-électrons de se déplacer dans le substrat transparent à la lumière, contribuant ainsi à améliorer le rendement quantique.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)