WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007102333) PROCEDE DE DEPOT D'UN FILM DE RUTHENIUM ET SUPPORT DE MEMOIRE POUVANT ETRE LU PAR UN ORDINATEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/102333    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/053577
Date de publication : 13.09.2007 Date de dépôt international : 27.02.2007
CIB :
C23C 16/18 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01)
Déposants : TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (Tous Sauf US).
KAWANO, Yumiko [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YAMASAKI, Hideaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ARIMA, Susumu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KAWANO, Yumiko; (JP).
YAMASAKI, Hideaki; (JP).
ARIMA, Susumu; (JP)
Mandataire : TAKAYAMA, Hiroshi; Hirakawacho Tsujita Bldg. 2F 1-7-20 Hirakawacho, Chiyoda-ku Tokyo 1020093 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-053359 28.02.2006 JP
Titre (EN) METHODS OF DEPOSITING RUTHENIUM FILM AND MEMORY MEDIUM READABLE BY COMPUTER
(FR) PROCEDE DE DEPOT D'UN FILM DE RUTHENIUM ET SUPPORT DE MEMOIRE POUVANT ETRE LU PAR UN ORDINATEUR
(JA) ルテニウム膜の成膜方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
Abrégé : front page image
(EN)A substrate is placed in a processing vessel and heated. Into the processing vessel are introduced a ruthenium pentadienyl compound gas, e.g., 2,4-dimethylpentadienylethylcyclo-pentadienylruthenium, and oxygen gas. These gases are reacted on the heated substrate to deposit a ruthenium film on the substrate. Alternatively, a substrate is placed in a processing vessel and heated. A ruthenium compound gas and a decompositing gas capable of decomposing this compound are introduced so that the flow rate of at least either of these changes periodically to form alternating steps which differ in gas composition. These gases are reacted on the heatedsubstrate without purging the processing vessel between those steps to thereby deposit a ruthenium film on the substrate.
(FR)Selon la présente invention, un substrat est placé dans un récipient de traitement et chauffé. Dans le récipient de traitement, on introduit un composé gazeux pentadiénylruthénium, par exemple, le 2,4-diméthylpentadiényléthylcyclo-pentadiénylruthenium, et du gaz d'oxygène. Ces gaz sont mis à réagir sur le substrat chauffé de façon à déposer un film de ruthénium sur le substrat. En variante, un substrat est placé dans un récipient de traitement et chauffé. Un composé gazeux à base de ruthénium et un gaz de décomposition capable de décomposer ce composé sont introduits de façon à ce que le débit d'au moins l'un de ces derniers change périodiquement de façon à former des étapes alternatives qui diffèrent au niveau de la composition gazeuse. Ces gaz sont mis à réagir sur le substrat chauffé sans purger le récipient de traitement entre ces étapes de façon à déposer de ce fait un film de ruthénium sur le substrat.
(JA)not available
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)