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1. (WO2007102281) PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM ET COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/102281    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/050454
Date de publication : 13.09.2007 Date de dépôt international : 16.01.2007
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
HARADA, Shinsuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATOU, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUDA, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
YATSUO, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HARADA, Shinsuke; (JP).
KATOU, Makoto; (JP).
FUKUDA, Kenji; (JP).
YATSUO, Tsutomu; (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-060451 07.03.2006 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM ET COMPOSANT A SEMICONDUCTEUR EN CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化ケイ素半導体装置の製造方法および炭化ケイ素半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This invention provides a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor device, which comprises an insulating film on a silicon carbide (000-1) plane and has been annealed for ohmic contact formation so as to reduce ohmic contact resistance, and a semiconductor device. The method comprises the steps of thermally oxidizing the surface of a (000-1) plane (8) of a silicon carbide semiconductor in a gas containing at least oxygen and moisture to form an insulating film (18) so as to be in contact with the surface of the (000-1) plane (8) of the silicon carbide semiconductor, removing a part of the insulating film (18) to form an opening, depositing a contact metal (20) on at least a part of the opening, and forming a layer (21) formed by a reaction between the contact metal (20) and the silicon carbide by heat treatment. The method is characterized in that the heat treatment is carried out in a mixed gas composed of an inert gas and hydrogen.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication d'un composant à semiconducteur en carbure de silicium qui comprend un film isolant sur un plan (000-1) de carbure de silicium et qui a été recuit en vue de la formation d'un contact ohmique de façon à réduire la résistance du contact ohmique, ainsi qu'un composant à semiconducteur. Le procédé comprend les étapes consistant à oxyder thermiquement la surface d'un plan (000-1) (8) d'un semiconducteur en carbure de silicium dans un gaz contenant au moins de l'oxygène et de l'humidité afin de former un film isolant (18) de façon à être en contact avec la surface du plan (000-1) (8) du semiconducteur en carbure de silicium, à éliminer une partie du film isolant (18) afin de former une ouverture, à déposer un métal de contact (20) sur au moins une partie de l'ouverture et à former une couche (21) formée par une réaction entre le métal de contact (20) et le carbure de silicium grâce à un traitement thermique. Le procédé est caractérisé en ce que le traitement thermique est exécuté dans un gaz mélangé composé d'un gaz inerte et d'hydrogène.
(JA)オーミックコンタクト抵抗が低減できるようなオーミックコンタクト形成のためのアニール処理を施した、炭化ケイ素(000-1)面上に絶縁膜を有する半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 炭化ケイ素半導体の(000-1)面8上に、少なくとも酸素と水分を含むガス中で熱酸化し前記炭化ケイ素半導体の(000-1)面8上に接するように絶縁膜18を形成する工程と、絶縁膜18の一部を除去し開口部を形成する工程と、開口部の少なくとも一部にコンタクトメタル20を堆積する工程と、熱処理によりコンタクトメタル20と炭化ケイ素の反応層21を形成する工程とを有する炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記熱処理を不活性ガスと水素の混合ガス中にて実施することを特徴とする炭化ケイ素半導体装置の製造方法である。  
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)