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1. (WO2007102138) COMPOSITIONS DE COULIS POUR BARRIÈRE ET PROCÉDÉS DE CMP DE BARRIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/102138    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/050817
Date de publication : 13.09.2007 Date de dépôt international : 02.01.2007
CIB :
C09G 1/04 (2006.01), H01L 21/321 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
MONNOYER, Philippe [BE/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : MONNOYER, Philippe; (FR)
Mandataire : WHARMBY, Martin Angus; c/o Impetus IP Ltd, FREESCALE SEMICONDUCTOR c/o IMPETUS IP, LTD Grove House, Lutyens Close, Chineham Court, Basingstoke Hampshire RG24 8AG (GB)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) BARRIER SLURRY COMPOSITIONS AND BARRIER CMP METHODS
(FR) COMPOSITIONS DE COULIS POUR BARRIÈRE ET PROCÉDÉS DE CMP DE BARRIÈRE
Abrégé : front page image
(EN)A new barrier slurry composition enables metal and barrier layer material (as well as cap layer material, if necessary) to be removed at a practical rate whilst eliminating, or significantly reducing, the removal of underlying low-k or ultra-low-k dielectric material. The barrier slurry composition comprises: water, an oxidizing agent such as hydrogen peroxide, an abrasive such as colloidal silica abrasive, a complexing agent such as citrate, and may comprise a corrosion inhibitor such as benzotriazole. The preferential removal of cap layer material relative to underlying ULK dielectric material can be enhanced by including in the barrier slurry composition a f irst additive, such as sodium bis(2- ethylhexyl) sulfosuccinate. The removal rate of the barrier layer material can be tuned by including in the barrier slurry composition a second additive, such as ammonium nitrate.
(FR)La présente invention se rapporte à une nouvelle composition de coulis pour barrière, qui permet d'éliminer le métal et la matière de couche barrière (ainsi que la matière de couche de couverture, le cas échéant) à une vitesse pratique tout en éliminant, ou réduisant sensiblement, l'élimination de la matière diélectrique sous-jacente à faible ou très faible constante diélectrique. La composition de coulis pour barrière selon l'invention contient de l'eau, un agent oxydant tel que du peroxyde d'hydrogène, un abrasif tel qu'un abrasif de silice colloïdale, un agent complexant tel que du citrate, et peut également renfermer un inhibiteur de corrosion tel que du benzotriazole. L'on peut améliorer l'élimination sélective de la matière de couche de couverture par rapport à la matière diélectrique à très faible k sous-jacente, en introduisant dans la composition de coulis pour barrière un premier additif, tel que du bis(éthyl-2 hexyl)sulfosuccinate de sodium. Il est possible de réguler la vitesse d'élimination de la matière de couche barrière, en introduisant dans la composition de coulis pour barrière un second additif, tel que du nitrate d'ammonium.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)