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1. WO2007101364 - DISPOSITIFS PASSIFS À RADIOFRÉQUENCE INTÉGRÉE AU NIVEAU PUCE, LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION ET SYSTÈMES LES RENFERMANT

Numéro de publication WO/2007/101364
Date de publication 13.09.2007
N° de la demande internationale PCT/CN2006/000335
Date du dépôt international 06.03.2006
CIB
H01L 25/16 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
25Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
16les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux H01L27/-H01L51/129
H01L 23/66 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
58Dispositions électriques structurelles non prévues ailleurs pour dispositifs semi-conducteurs
64Dispositions relatives à l'impédance
66Adaptations pour la haute fréquence
H01L 27/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
02comprenant des composants semi-conducteurs spécialement adaptés pour le redressement, l'amplification, la génération d'oscillations ou la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
04le substrat étant un corps semi-conducteur
08comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
CPC
H01L 2224/05571
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
0554External layer
0556Disposition
05571the external layer being disposed in a recess of the surface
H01L 2224/05573
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
02Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
04Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
05of an individual bonding area
0554External layer
05573Single external layer
H01L 2224/16
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
16of an individual bump connector
H01L 2224/48091
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
4805Shape
4809Loop shape
48091Arched
H01L 2224/48227
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
48227connecting the wire to a bond pad of the item
H01L 2224/48472
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
484Connecting portions
4847the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
48472the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
Déposants
  • INTEL CORPORATION [US]/[US] (AllExceptUS)
  • ZENG, Xiangying [CN]/[CN] (UsOnly)
  • HE, Jiangqi [CN]/[US] (UsOnly)
  • XU, Baoshu [CN]/[CN] (UsOnly)
Inventeurs
  • ZENG, Xiangying
  • HE, Jiangqi
  • XU, Baoshu
Mandataires
  • CHINA PATENT AGENT (H.K.) LTD.
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) CHIP-LEVEL INTEGRATED RADIO FREQUENCY PASSIVE DEVICES, METHODS OF MAKING SAME, AND SYSTEMS CONTAINING SAME
(FR) DISPOSITIFS PASSIFS À RADIOFRÉQUENCE INTÉGRÉE AU NIVEAU PUCE, LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION ET SYSTÈMES LES RENFERMANT
Abrégé
(EN)
A chip package includes a radio-frequency passive-device layer disposed below a dielectric layer on that backside surface of the die in the chip package. The inductive loop between the active surface of the die and the radio-frequency passive-device layer is small because any radio-frequency passive device is directly below the footprint of the die. A method of assembling a radio-frequency passive device layer includes die-level and board-level radio-frequency passive device layers. A computing system includes a radio-frequency passive device layer in a chip package.
(FR)
L'invention concerne un boîtier de puce qui comporte une couche de dispositif passif à radiofréquence placée sous une couche diélectrique à l'arrière de la matrice dans le boîtier de puce. La boucle d'induction entre la face active de la matrice et la couche de dispositif passif à radiofréquence est petite du fait que n'importe quel dispositif passif à radiofréquence est directement sous l'empreinte de la matrice. Un procédé de montage d'une couche de dispositif passif à radiofréquence comporte des couches de dispositifs passifs à radiofréquence niveau matrice et niveau carte. Un système informatique comporte une couche de dispositif passif à radiofréquence dans un boîtier de puce.
Également publié en tant que
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