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1. (WO2007101138) IMPRESSION À HAUT RENDEMENT DE COUCHE PRÉCURSEUR SEMI-CONDUCTRICE À PARTIR DE PARTICULES DE NANOFLOCONS INTERMÉTALLIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/101138    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/062766
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 23.02.2007
CIB :
H01L 31/00 (2006.01), B05D 1/12 (2006.01), B05D 3/00 (2006.01), B05D 7/00 (2006.01), B05D 7/24 (2006.01)
Déposants : VAN DUREN, Jeroen, K., J. [NL/US]; (US).
ROBINSON, Matthew, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
LEIDHOLM, Craig, R. [US/US]; (US)
Inventeurs : VAN DUREN, Jeroen, K., J.; (US).
ROBINSON, Matthew, R.; (US).
LEIDHOLM, Craig, R.; (US)
Mandataire : TUNG, Hao, Y.; 5521 Hellyer Avenue, San Jose, CA 95138 (US)
Données relatives à la priorité :
11/361,433 23.02.2006 US
11/361,497 23.02.2006 US
11/361,515 23.02.2006 US
11/361,103 23.02.2006 US
11/361,521 23.02.2006 US
11/361,522 23.02.2006 US
11/394,849 30.03.2006 US
11/395,438 30.03.2006 US
11/395,668 30.03.2006 US
Titre (EN) HIGH-THROUGHPUT PRINTING OF SEMICONDUCTOR PRECURSOR LAYER FROM INTER-METALLIC NANOFLAKE PARTICLES
(FR) IMPRESSION À HAUT RENDEMENT DE COUCHE PRÉCURSEUR SEMI-CONDUCTRICE À PARTIR DE PARTICULES DE NANOFLOCONS INTERMÉTALLIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Methods and devices are provided for transforming non-planar or planar precursor materials in an appropriate vehicle under the appropriate conditions to create dispersions of planar particles with stoichiometric ratios of elements equal to that of the feedstock or precursor materials, even after selective forces settling. In particular, planar particles disperse more easily, , form much denser coatings (or form coatings with more interparticle contact area), and anneal into fused, dense films at a lower temperature and/or time than their counterparts made from spherical nanoparticles. These planar particles may be nanoflakes that have a high aspect ratio. The resulting dense films formed from nanoflakes are particularly useful in forming photovoltaic devices. . In one embodiment, at least one set of the particles in the ink may be inter-metallic flake particles (microflake or nanoflake) containing at least one group IB-IIIA inter-metallic alloy phase.
(FR)L'invention concerne des procédés et dispositifs pour transformer des matériaux précurseurs plans ou non plans dans un véhicule approprié dans les conditions voulues pour créer des dispersions de particules planes avec des rapports stœchiométriques d'éléments égaux à celui de la charge de départ ou des matériaux précurseurs, même après sédimentation de forces sélectives. En particulier, les particules planes se dispersent plus facilement, forment des revêtements beaucoup plus denses (ou forment des revêtements avec une zone de contact interparticulaire accrue), et se recuisent en films fondus, denses à une température plus basse et/ou en un temps plus court que leurs homologues réalisés à partir de nanoparticules sphériques. Ces particules planes peuvent être des nanoflocons d'un rapport d'allongement élevé. Les films denses résultants formés à partir de nanoflocons sont particulièrement utiles dans la formation de dispositifs photovoltaïques. Selon un mode de réalisation, au moins un ensemble des particules d'encre peut être des particules de flocons intermétalliques (microflocon ou nanoflocon) contenant au moins une phase d'alliage intermétallique de groupe IB-IIIA.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)