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1. (WO2007100978) INSTRUMENT DE MICROSCOPIE À LENTILLE À CATHODE DE CORRECTION D'ABERRATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/100978    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/062101
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 14.02.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    21.06.2007    
CIB :
H01J 37/05 (2006.01), H01J 37/153 (2006.01), G01N 23/20 (2006.01), G01N 23/227 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
TROMP, Rudolf, M. [NL/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TROMP, Rudolf, M.; (US)
Mandataire : GRIFFITH, Robert, W.; Ryan, Mason & Lewis, LLP, 90 Forest Avenue, Locust Valley, NY 11560 (US)
Données relatives à la priorité :
11/364,299 28.02.2006 US
Titre (EN) ABERRATION-CORRECTING CATHODE LENS MICROSCOPY INSTRUMENT
(FR) INSTRUMENT DE MICROSCOPIE À LENTILLE À CATHODE DE CORRECTION D'ABERRATION
Abrégé : front page image
(EN)An aberration-correcting microscopy instrument is provided. It has a first magnetic deflector (206) disposed for reception of a first non-dispersed electron diffraction pattern. The first magnetic deflector is also configured for projection of a first energy dispersed electron diffraction pattern in an exit plane (A2) of the first magnetic deflector. An electrostatic lens (224) is disposed in the exit plane of the first magnetic deflector. A second magnetic deflector (222) substantially identical to the first magnetic deflector is disposed for reception of the first energy dispersed electron diffraction pattern from the electrostatic lens. The second magnetic deflector is also configured for projection of a second non-dispersed electron diffraction pattern in a first exit plane (B2) of the second magnetic deflector. An electron mirror (226) is configured for correction of one or more aberrations in the second non-dispersed electron diffraction pattern. The electron mirror is disposed for reflection of the second non-dispersed electron diffraction pattern to the second magnetic deflector for projection of a second energy dispersed electron diffraction pattern in a second exit plane (B3) of the second magnetic deflector.
(FR)La présente invention concerne un instrument de microscopie à correction d'aberration. L'instrument comporte un premier déflecteur magnétique disposé pour recevoir un premier diagramme de diffraction d'électrons non dispersés. Le premier déflecteur magnétique est également configuré pour la projection d'une première énergie dispersée du diagramme de diffraction d'électrons non dispersés dans un plan de sortie du premier déflecteur magnétique. L'instrument comporte également une lentille électrostatique disposée dans le plan de sortie du premier déflecteur magnétique, ainsi qu'un second déflecteur magnétique sensiblement identique au premier réflecteur magnétique. Le second déflecteur magnétique est agencé pour recevoir le premier diagramme de diffraction d'électrons dispersés d'énergie provenant de la lentille électrostatique. Le second déflecteur magnétique est également configuré pour la projection d'un second diagramme de diffraction d'électrons non dispersés dans un premier plan de sortie du second déflecteur magnétique. L'instrument comporte en outre un miroir électronique configuré pour corriger une ou des aberrations dans le second diagramme de diffraction d'électrons non dispersés. Le miroir électronique est agencé pour réfléchir le second diagramme de diffraction d'électrons non dispersés vers le second déflecteur magnétique pour la projection d'un second diagramme de diffraction d'électrons non dispersés dans un second plan de sortie du second déflecteur magnétique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)