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1. (WO2007100589) DISPOSITIF TRANSISTORISÉ PRÉSENTANT UNE STABILITÉ DE SEUIL ACCRUE SANS DÉGRADATION DU COURANT DE PILOTAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/100589    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/004544
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 20.02.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    28.12.2007    
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/10 (2006.01), H01L 29/08 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place, Mail Stop 68, P.O. Box 3453, Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (Tous Sauf US).
WEI, Andy [US/DE]; (DE) (US Seulement).
KAMMLER, Thorsten [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HOENTSCHEL, Jan [DE/DE]; (DE) (US Seulement).
HORSTMANN, Manfred [DE/DE]; (DE) (US Seulement)
Inventeurs : WEI, Andy; (DE).
KAMMLER, Thorsten; (DE).
HOENTSCHEL, Jan; (DE).
HORSTMANN, Manfred; (DE)
Mandataire : DRAKE, Paul, S.; Advanced Micro Devices, Inc., 5204 East Ben White Boulevard, Mail Stop 562, Austin, TX 78741 (US).
PFAU, Anton, K.; Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser, Maximilianstraße 58, 80538 München (DE)
Données relatives à la priorité :
102006009226.0 28.02.2006 DE
11/551,263 20.10.2006 US
Titre (EN) TRANSISTOR DEVICE HAVING AN INCREASED THRESHOLD STABILITY WITHOUT DRIVE CURRENT DEGRADATION
(FR) DISPOSITIF TRANSISTORISÉ PRÉSENTANT UNE STABILITÉ DE SEUIL ACCRUE SANS DÉGRADATION DU COURANT DE PILOTAGE
Abrégé : front page image
(EN)By removing a portion of a halo region (206, 306) or by avoiding the formation of the halo region (206, 306) within the extension region (209A), which may be subsequently formed on the basis of a re-grown semiconductor material (218, 318), the threshold roll off behavior may be significantly improved, wherein an enhanced current drive capability may simultaneously be achieved.
(FR)En retirant une partie de la région halo (206, 306) ou en évitant la formation de ladite région au sein de la région d'extension (209A), laquelle peut être formée ultérieurement à partir d'un matériau semi-conducteur re-tiré (218, 318), il est possible d'améliorer sensiblement le comportement au seuil d'affaiblissement et d'obtenir simultanément une capacité améliorée de commande du courant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)