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1. (WO2007100551) INTÉGRATION À TRÈS GRANDE ÉCHELLE DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP SUR DES NANOFILS DE Si
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/100551    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/004383
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 21.02.2007
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), B82B 1/00 (2006.01), H01L 29/775 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, California 94607-5200 (US) (Tous Sauf US).
TU, King-Ning [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : TU, King-Ning; (US)
Mandataire : DALEY, PH.D., Henry J.; Venable Llp, P.O. Box 34385, Washington, District Of Columbia 20043-9998 (US)
Données relatives à la priorité :
60/775,343 22.02.2006 US
Titre (EN) VERY LARGE SCALE INTEGRATION OF FIELD EFFECT TRANSISTORS ON SI NANOWIRES
(FR) INTÉGRATION À TRÈS GRANDE ÉCHELLE DE TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP SUR DES NANOFILS DE Si
Abrégé : front page image
(EN)An electronic device has a first electrical lead, a nonowire disposed on the first electrical lead, the nanowire having at least one semiconductor section between first and second metallic sections, a second electrical lead constructed to be in electrical contact with the first metallic section of the nanowire, and a third electrical lead in electrical contact with the metallic section of the nanowire. The nanowire has at least a partial oxide outer layer.
(FR)Cette invention se rapporte à un dispositif électronique qui comprend un premier fil électrique, un nanofil disposé sur le premier fil électrique, le nanofil comprenant au moins une section semi-conductrice entre une première et une deuxième section métallique, un deuxième fil électrique conçu pour être en contact électrique avec la première section métallique du nanofil, ainsi qu'un troisième fil électrique en contact électrique avec la section métallique du nanofil. Le nanofil comporte au moins une couche extérieure d'oxyde partielle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)