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1. (WO2007100544) AGENT DE GRAVURE FORTEMENT SELECTIF POUR OXYDES DOPES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/100544    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/004334
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 21.02.2007
CIB :
H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 South Federal Way, Boise, ID 83716 (US) (Tous Sauf US).
RANA, Niraj [IN/US]; (US) (US Seulement).
RAGHU, Prashant [IN/US]; (US) (US Seulement).
TOREK, Kevin [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : RANA, Niraj; (US).
RAGHU, Prashant; (US).
TOREK, Kevin; (US)
Mandataire : STRODTHOFF, Kristine, M.; Whyte Hirschboeck Dudek S.C., 555 East Wells Street, Suite 1900, Milwaukee, WI 53202 (US)
Données relatives à la priorité :
11/360,540 23.02.2006 US
Titre (EN) HIGHLY SELECTIVE DOPED OXIDE ETCHANT
(FR) AGENT DE GRAVURE FORTEMENT SELECTIF POUR OXYDES DOPES
Abrégé : front page image
(EN)Etch solutions for selectively etching doped oxide materials in the presence of silicon nitride, titanium nitride, and silicon materials, and methods utilizing the etch solutions, for example, in the construction of container capacitor constructions is provided. The etch solutions are formulated as a mixture of hydrofluoric acid and an organic acid having a dielectric constant less than water, optionally with an inorganic acid, and a pH of 1 or less.
(FR)L'invention concerne des solutions de gravure pour graver de façon sélective des oxydes dopés en présence de nitrure de silicium, de nitrure de titane et des matériaux à base de silicium, et des procédés utilisant lesdites solutions de gravure, par exemple pour fabriquer des systèmes de condensateur en boîtier. Les solutions de gravure sont préparées sous forme d'un mélange d'acide fluorhydrique et d'un acide organique dont la constante diélectrique est inférieure à celle de l'eau, avec éventuellement un acide inorganique, et avec un pH inférieur ou égal à 1.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)