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1. (WO2007100538) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CONTACTS SEGMENTÉS POUR DÉTECTEURS DE RAYONNEMENT PAR PHOTOLITHOGRAPHIE DIRECTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/100538    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/004319
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 21.02.2007
CIB :
G01T 1/24 (2006.01)
Déposants : REDLEN TECHNOLOGIES [CA/CA]; 9865 West Saanich Road, Suite #107, Sidney, BC V8L 5Y8 (CA) (Tous Sauf US).
CHEN, Henry [US/CA]; (CA) (US Seulement).
ROUPASSOV, Serguei [CA/CA]; (CA) (US Seulement).
AWADALLA, Salah [US/CA]; (CA) (US Seulement)
Inventeurs : CHEN, Henry; (CA).
ROUPASSOV, Serguei; (CA).
AWADALLA, Salah; (CA)
Mandataire : RADOMSKY, Leon; Foley & Lardner Llp, Washington Harbour, 3000 K St., Nw, Suite 500, Washington, DC 20007 (US)
Données relatives à la priorité :
2,541,256 22.02.2006 CA
11/527,707 27.09.2006 US
11/633,091 04.12.2006 US
Titre (EN) METHOD OF MAKING SEGMENTED CONTACTS FOR RADIATION DETECTORS USING DIRECT PHOTOLITHOGRAPHY
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CONTACTS SEGMENTÉS POUR DÉTECTEURS DE RAYONNEMENT PAR PHOTOLITHOGRAPHIE DIRECTE
Abrégé : front page image
(EN)A method is provided for fabricating contacts on semiconductor substrates by direct lithography that results in durable adhesion of the electrodes, increased interpixel resistance and the electrodes which act as a blocking contact, thereby providing for improved energy resolution in a resultant radiation detector.
(FR)Cette invention concerne un procédé de fabrication de contacts sur des substrats semi-conducteurs par lithographie directe qui permet d'obtenir une adhérence durable des électrodes, une plus grande résistance interpixel, ainsi que les électrodes servant de contact de blocage, ce qui améliore la résolution énergétique dans le détecteur de rayonnement ainsi produit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)