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1. (WO2007100364) DIODES AU SILICIUM A HAUTE PUISSANCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/100364    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/044138
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 14.11.2006
CIB :
H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive, Durham, North Carolina 27703 (US) (Tous Sauf US).
DAS, Mrinal [US/US]; (US) (US Seulement).
HULL, Brett [US/US]; (US) (US Seulement).
SUMAKERIS, Joseph, J. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DAS, Mrinal; (US).
HULL, Brett; (US).
SUMAKERIS, Joseph, J.; (US)
Mandataire : MYERS BIGEL SIBLEY & SAJOVEC, P.A.; P.O. Box 37428, Raleigh, North Carolina 27627 (US)
Données relatives à la priorité :
11/363,800 28.02.2006 US
Titre (EN) HIGH POWER SILICON DIODES
(FR) DIODES AU SILICIUM A HAUTE PUISSANCE
Abrégé : front page image
(EN)Silicon Carbide (SiC) PiN Diodes are provided having a reverse blocking voltage (VR) from about 3.0 kV to about 10.0 kV and a forward voltage (VF) of less than about 4.3 V.
(FR)Les diodes PiN au carbure de silicium (SiC) ont une tension inverse de blocage (VR) allant d'environ 3,0 kV à environ 10,0 kV et une tension directe (VF) inférieure à environ 4,3 V.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)