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1. (WO2007100233) PROCÉDÉ DE CRISTALLISATION DE SILICIUM AMORPHE PAR CHAUFFAGE PAR EFFET JOULE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/100233    N° de la demande internationale :    PCT/KR2007/001083
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 05.03.2007
CIB :
H01L 21/324 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
Déposants : RO, Jae-Sang [KR/KR]; (KR).
HONG, Won-Eui [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : RO, Jae-Sang; (KR).
HONG, Won-Eui; (KR)
Mandataire : PARK, Sang-Soo; suit 1810, Hwanghwa Bldg., 832-7, Yoksam-dong, Kangnam-gu, Seoul 135-936 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2006-0020246 03.03.2006 KR
Titre (EN) METHOD FOR CRYSTALLIZATION OF AMORPHOUS SILICON BY JOULE HEATING
(FR) PROCÉDÉ DE CRISTALLISATION DE SILICIUM AMORPHE PAR CHAUFFAGE PAR EFFET JOULE
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a method for preparation of crystallization of amorphous silicon thin film, which comprises providing a forming a amorphous silicon on a dielectric film formed on a transparent substrate; then forming a conductive layer on the top surface of substrate; applying an electric field to the conductive layer so as to generate heat; and crystallization of amorphous silicon thin film by the generated heat.
(FR)L'invention concerne un procédé pour préparer la cristallisation d'un film mince de silicium amorphe, qui consiste à: former un silicium amorphe sur un film diélectrique formé sur un substrat transparent; former ensuite une couche conductrice sur la surface supérieure du substrat; appliquer un champ électrique sur la couche conductrice de manière à produire de la chaleur; et cristalliser le film mince de silicium amorphe au moyen de la chaleur produite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)