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1. WO2007100146 - PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE ZnO SELON LE PROCEDE DE CROISSANCE EN PHASE LIQUIDE

Numéro de publication WO/2007/100146
Date de publication 07.09.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/054380
Date du dépôt international 28.02.2007
CIB
C30B 29/16 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
29Monocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée caractérisés par leurs matériaux ou par leur forme
10Composés inorganiques ou compositions inorganiques
16Oxydes
C30B 19/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
19Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide
02en utilisant des solvants fondus, p.ex. des fondants
H01L 21/368 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
36Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
368en utilisant un dépôt liquide
CPC
C30B 15/00
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
15Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
C30B 19/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
19Liquid-phase epitaxial-layer growth
02using molten solvents, e.g. flux
C30B 29/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
C30B 9/12
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
9Single-crystal growth from melt solutions using molten solvents
04by cooling of the solution
08using other solvents
12Salt solvents, e.g. flux growth
H01L 21/02554
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02551Group 12/16 materials
02554Oxides
H01L 21/0257
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
Déposants
  • 三菱瓦斯化学株式会社 MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 関和秀幸 SEKIWA, Hideyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 小林純 KOBAYASHI, Jun [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 宮本美幸 MIYAMOTO, Miyuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 関和秀幸 SEKIWA, Hideyuki
  • 小林純 KOBAYASHI, Jun
  • 宮本美幸 MIYAMOTO, Miyuki
Mandataires
  • 小林浩 KOBAYASHI, Hiroshi
Données relatives à la priorité
2006-05559001.03.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PROCESS FOR PRODUCING ZnO SINGLE CRYSTAL ACCORDING TO METHOD OF LIQUID PHASE GROWTH
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE ZnO SELON LE PROCEDE DE CROISSANCE EN PHASE LIQUIDE
(JA) 液相成長法によるZnO単結晶の製造方法
Abrégé
(EN)
A process for producing a ZnO single crystal according to a method of liquid phase growth, characterized in that ZnO as a solute and either PbF2 and PbO or PbO and Bi2O3 as a solvent are mixed together and melted and thereafter a seed crystal or substrate is brought into direct contact with the melt to thereby induce growth of a ZnO single crystal on the seed crystal or substrate. Thus, there is provided a process in which a ZnO single crystal of high quality reduced in dislocation, defect, staining, etc. is produced according to a method of liquid phase growth.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d'un monocristal de ZnO selon un procédé de croissance en phase liquide, ledit procédé étant caractérisé en ce que du ZnO en tant que soluté et du PbF2 et PbO, ou bien du PbO et Bi2O3 en tant que solvant sont mélangés et fondus ensemble, après quoi un germe cristallin ou un substrat est amené en contact direct avec le bain de manière à induire la croissance d'un monocristal de ZnO sur le germe cristallin ou le substrat. Ce procédé permet d'obtenir par croissance en phase liquide un monocristal de ZnO de qualité élevée présentant moins de dislocations, de défauts, de taches, etc.
(JA)
not available
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