Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2007100125 - DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR, SON PROCEDE DE FABRICATION ET MATERIAU CIBLE DE PULVERISATION A UTILISER DANS LEDIT PROCEDE

Numéro de publication WO/2007/100125
Date de publication 07.09.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/054134
Date du dépôt international 27.02.2007
CIB
C22C 9/05 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
CALLIAGES
9Alliages à base de cuivre
05avec le manganèse comme second constituant majeur
C22C 9/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
CALLIAGES
9Alliages à base de cuivre
C22C 9/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
CALLIAGES
9Alliages à base de cuivre
02avec l'étain comme second constituant majeur
C22C 9/04 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
22MÉTALLURGIE; ALLIAGES FERREUX OU NON FERREUX; TRAITEMENT DES ALLIAGES OU DES MÉTAUX NON FERREUX
CALLIAGES
9Alliages à base de cuivre
04avec le zinc comme second constituant majeur
C23C 14/34 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
H01L 21/285 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
28Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/268177
283Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
285à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation
CPC
C23C 14/027
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
02Pretreatment of the material to be coated
027Graded interfaces
C23C 14/046
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
04Coating on selected surface areas, e.g. using masks
046Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
C23C 14/08
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
08Oxides
C23C 14/3414
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
3407Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
3414Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
C23C 14/5806
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
58After-treatment
5806Thermal treatment
H01L 21/2855
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
28506of conductive layers
28512on semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System
2855by physical means, e.g. sputtering, evaporation
Déposants
  • 合同会社先端配線材料研究所 ADVANCED INTERCONNECT MATERIALS, LLC [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 小池 淳一 KOIKE, Junichi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 小池 淳一 KOIKE, Junichi
Mandataires
  • 福田 賢三 FUKUDA, Kenzo
Données relatives à la priorité
2006-05243628.02.2006JP
2006-05385128.02.2006JP
2006-15622805.06.2006JP
2006-23732501.09.2006JP
2006-27846112.10.2006JP
2006-31695824.11.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, ITS MANUFACTURING METHOD, AND SPUTTERING TARGET MATERIAL FOR USE IN THE METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR, SON PROCEDE DE FABRICATION ET MATERIAU CIBLE DE PULVERISATION A UTILISER DANS LEDIT PROCEDE
(JA) 半導体装置、その製造方法およびその製造方法に用いるスパッタリング用ターゲット材
Abrégé
(EN)
Provided is a semiconductor device, which can provide a barrier layer with barrier actions against the diffusion of Cu from the side of a wiring body and against the diffusion of Si from the side of an insulating film and which can improve the adhesion between the barrier layer and the insulating layer thereby to have an excellent action reliability over a long time period. The semiconductor device (1) comprises the insulating film (3) wired and containing silicon (Si), the wiring body (8) formed in a trench-shaped opening (4) in the insulating film (3) and made of copper (Cu), the barrier layer (7) formed between the wiring body (8) and the insulating film (3) and made of an oxide containing Cu, Si and Mn such that the atomic concentration of Cu monotonously decreases from the side of the wiring body (8) to the side of the insulating film (3), such that the atomic concentration of Si monotonously decreases from the side of the insulating film (3) to the side of the wiring body (8), and such that the atomic concentration of Mn reaches the maximum in the zone where the atomic concentration of Cu and the atomic concentration of Si are substantially equivalent to each other.
(FR)
La présente invention concerne un dispositif semiconducteur pouvant fournir une couche barrière à actions de blocage contre la diffusion de Cu depuis le côté d'un corps de câblage et contre la diffusion de Si depuis le côté d'un film isolant, permettant ainsi d'améliorer l'adhérence entre la couche barrière et la couche isolante et présentant une excellente fiabilité d'action sur une longue période. Le dispositif semiconducteur (1) comprend le film isolant (3) câblé et contenant du silicium (Si), le corps de câblage (8) formé dans une ouverture en forme de tranchée (4) dans le film isolant (3) et fabriqué en cuivre (Cu), la couche barrière (7) formée entre le corps de câblage (8) et le film isolant (3) et fait d'un oxyde comprenant Cu, Si et Mn de telle sorte que la concentration atomique de Cu diminue uniformément depuis le côté du corps de câblage (8) vers le côté du film isolant (3), que la concentration atomique de Si diminue uniformément depuis le côté du film isolant (3) vers le côté du corps de câblage (8) et que la concentration atomique de Mn atteint un maximum dans la zone où la concentration atomique de Cu est essentiellement équivalente à la concentration atomique de Si.
(JA)
配線本体側からのCuの拡散や、絶縁膜側からのSiの拡散に対する障壁作用をバリア層に十分にもたせることができ、またバリア層と絶縁膜との密着性を向上させることができ、長期的に直り動作の信頼性に優れた半導体装置を提供できるようにする。この発明は、絶縁膜3に配線が施されている半導体装置1において、珪素(Si)を含む絶縁膜3と、絶縁膜3に設けられた溝状の開口部4内に形成された、銅(Cu)からなる配線本体8と、配線本体8と絶縁膜3との間に形成され、配線本体8側から絶縁膜3側に向けてCuの原子濃度が単調に減少し、絶縁膜3側から配線本体8側に向けてSiの原子濃度が単調に減少し、Cuの原子濃度とSiの原子濃度とが略同等となる領域でMnの原子濃度が最大になる、CuとSiとMnとを含む酸化物からなるバリア層7と、を有するものである。
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international