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1. (WO2007099823) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR PRODUIT PAR CE PROCEDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/099823    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/053131
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 14.02.2007
CIB :
B29C 43/50 (2006.01), C08L 83/04 (2006.01), H01L 21/56 (2006.01)
Déposants : DOW CORNING TORAY CO., LTD. [JP/JP]; 1-3, Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo, 1000005 (JP) (Tous Sauf US).
MORITA, Yoshitsugu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ISSHIKI, Minoru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UEKI, Hiroshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KATO, Tomoko [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MORITA, Yoshitsugu; (JP).
ISSHIKI, Minoru; (JP).
UEKI, Hiroshi; (JP).
KATO, Tomoko; (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-046872 23.02.2006 JP
Titre (EN) METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE AND A SEMICONDUCTOR DEVICE PRODUCED THEREBY
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR PRODUIT PAR CE PROCEDE
Abrégé : front page image
(EN)A method of manufacturing a semiconductor device sealed in a cured silicone body by placing an unsealed semiconductor device into a mold and subjecting a curable silicone composition which is fed into the space between the mold and the unsealed semiconductor device to compression molding, the method being characterized by the fact that the aforementioned curable silicone composition comprises at least the following components: (A) an epoxy-containing silicone and (B) a curing agent for an epoxy resin; can reduce warping of the semiconductor chips and circuit board, and improve surface resistance to scratching.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur scellé dans un corps en silicone durci en plaçant ce dispositif dans un moule et en faisant subir un moulage par compression à la composition en silicone durcissable introduite dans l'espace entre le moule et le semi-conducteur non scellé, le procédé étant caractérisé par le fait que la composition de silicone durcissable mentionnée ci-dessus comprend au moins les composants suivants : (A) du silicone contenant de l'époxyde et (B) un agent de durcissement pour résine époxyde ; il peut réduire le gauchissement des puces du semi-conducteur et de la carte de circuit, et améliorer la résistance aux rayures de la surface.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)