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1. (WO2007099794) PROCEDE ET APPAREIL DE FABRICATION DE NANOPARTICULES DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/099794    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/052915
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 19.02.2007
CIB :
C01B 25/08 (2006.01), C01B 19/04 (2006.01), C09K 11/08 (2006.01), C09K 11/70 (2006.01), C09K 11/88 (2006.01)
Déposants : IDEMITSU KOSAN CO., LTD. [JP/JP]; 1-1, Marunouchi 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008321 (JP) (Tous Sauf US).
HACHIYA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : HACHIYA, Satoshi; (JP)
Mandataire : WATANABE, Kihei; Shibashin Kanda Bldg. 3rd Floor 26, Kanda Suda-cho 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1010041 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-049724 27.02.2006 JP
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR NANOPARTICLES
(FR) PROCEDE ET APPAREIL DE FABRICATION DE NANOPARTICULES DE SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体ナノ粒子の製造方法及びその製造装置
Abrégé : front page image
(EN)In a semiconductor nanoparticle manufacturing method, reaction for forming nuclei of semiconductor nanoparticles and reaction for growing the nuclei are performed stepwise. A semiconductor nanoparticle manufacturing apparatus (1) is provided with a continuous reaction apparatus (40) for performing reaction for forming the nuclei of the semiconductor nanoparticles, and a batch operation type reacting apparatus (70) for performing reaction for growing the semiconductor nanoparticles.
(FR)La présente invention concerne la réalisation progressive, dans un procédé de fabrication de nanoparticules de semi-conducteur, d'une réaction permettant de former les noyaux de nanoparticules de semi-conducteur et d'une réaction de croissance de ces noyaux. Un appareil de fabrication des nanoparticules de semi-conducteur (1) est accompagné d'un appareil de réaction continue (40) pour effectuer une réaction afin de former les noyaux des nanoparticules de semi-conducteur et un appareil de réaction à exploitation par lots (70) pour effectuer la réaction afin de faire croître les nanoparticules de semi-conducteur.
(JA) 半導体ナノ粒子の核を形成する反応と、核を成長させる反応を段階的に行う半導体ナノ粒子の製造方法。半導体ナノ粒子の核形成反応を行う連続式反応装置(40)と、半導体ナノ粒子の成長反応を行う回分式反応装置(70)、を備えた半導体ナノ粒子製造装置(1)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)