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1. WO2007099727 - DISPOSITIF D'IMAGERIE A L'ETAT SOLIDE DE TYPE D'AMPLIFICATION

Numéro de publication WO/2007/099727
Date de publication 07.09.2007
N° de la demande internationale PCT/JP2007/051434
Date du dépôt international 30.01.2007
CIB
H01L 27/146 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
27Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
14comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
144Dispositifs commandés par rayonnement
146Structures de capteurs d'images
H04N 5/335 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
H04N 5/357 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
357Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit
H04N 5/369 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
H04N 5/374 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
H04N 5/3745 2011.01
HÉLECTRICITÉ
04TECHNIQUE DE LA COMMUNICATION ÉLECTRIQUE
NTRANSMISSION D'IMAGES, p.ex. TÉLÉVISION
5Détails des systèmes de télévision
30Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques
335utilisant des capteurs d'images à l'état solide  
369architecture du capteur SSIS; circuits associés à cette dernière
374Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS
3745ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
CPC
H04N 5/3597
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
357Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
359applied to excess charges produced by the exposure, e.g. smear, blooming, ghost image, crosstalk or leakage between pixels
3597being the residual charges remaining after reading an image, e.g. ghost images or after images
H04N 5/37452
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
5Details of television systems
30Transforming light or analogous information into electric information
335using solid-state image sensors [SSIS]
369SSIS architecture; Circuitry associated therewith
374Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
3745having additional components embedded within a pixel or connected to a group of pixels within a sensor matrix, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
37452comprising additional storage means
Déposants
  • シャープ株式会社 SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 渡辺 恭志 WATANABE, Takashi, (UsOnly)
  • 吉本 貴彦 YOSHIMOTO, Takahiko (UsOnly)
Inventeurs
  • 渡辺 恭志 WATANABE, Takashi,
  • 吉本 貴彦 YOSHIMOTO, Takahiko
Mandataires
  • 田中 光雄 TANAKA, Mitsuo
Données relatives à la priorité
2006-05782903.03.2006JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) AMPLIFICATION TYPE SOLID-STATE IMAGING DEVICE
(FR) DISPOSITIF D'IMAGERIE A L'ETAT SOLIDE DE TYPE D'AMPLIFICATION
(JA) 増幅型固体撮像装置
Abrégé
(EN)
A reset transistor (4) is turned on for a prescribed period and the potential of a signal charge accumulating section (3) is reset, in a status where the drain side potential of an amplifying transistor (5) is reduced and the potential of a read signal line (7) is held at a first potential (Vg), prior to transferring a signal charge from a photodiode (1) to the signal charge accumulating section (3) by a scanning circuit (20). Then, the potential of the signal charge accumulating section (3) is made higher than that just after being reset, by increasing the drain side potential of the amplifying transistor (5) to have the potential of the read signal line (7) to be at a second voltage (Vrst), which is higher than the first voltage (Vg), by the scanning circuit (20). A transfer transistor (2) is turned on, and the signal charge from the photodiode (1) is transferred to the signal charge accumulating section (3).
(FR)
La présente invention concerne un transistor de réinitialisation (4) mis en marche pour une durée prescrite et le potentiel d'une section d'accumulation de charge de signal (3) est réinitialisé, dans un état où le potentiel du côté drain d'un transistor d'amplification (5) est réduit et le potentiel d'une ligne de signal lu (7) est retenu à un premier potentiel (Vg), avant de transférer une charge de signal d'une photodiode (1) vers une section d'accumulation de charge de signal (3) par un circuit de balayage. Ensuite, le potentiel de la section d'accumulation de charge de signal (3) est augmenté par rapport à celui existant juste après réinitialisation, en augmentant le potentiel du côté drain du transistor d'amplification (5) pour obtenir du potentiel de ligne du signal lu (7) qu'il parvienne à une seconde tension (Vrst) qui est supérieure à la première tension (Vg), par le circuit de balayage (20). Un transistor de transfert (2) est activé et la charge de signal de la photodiode (1) est transférée à la section d'accumulation de charge du signal (3).
(JA)
 走査回路20によって、フォトダイオード1からの信号電荷を信号電荷蓄積部3に転送する前に、増幅トランジスタ5のドレイン側電位を低くして読み出し信号線7の電位を第1の電位(Vg)に保持した状態で、リセットトランジスタ4を所定期間オンして信号電荷蓄積部3の電位をリセットする。その後、走査回路20によって、増幅トランジスタ5のドレイン側電位を高くして読み出し信号線7の電位を上記第1の電位(Vg)よりも高い第2の電位(Vrst)にすることにより、信号電荷蓄積部3の電位をリセット直後の電位よりも高くする。そして、上記転送トランジスタ2をオンしてフォトダイオード1からの信号電荷を信号電荷蓄積部3に転送する。
Également publié en tant que
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