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1. (WO2007099688) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE MOS DE CARBURE DE SILICIUM AVEC DIODE DE SCHOTTKY INTEGREE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/099688    N° de la demande internationale :    PCT/JP2006/326072
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 27.12.2006
CIB :
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Déposants : NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (Tous Sauf US).
YATSUO, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
HARADA, Shinsuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
FUKUDA, Kenji [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OKAMOTO, Mitsuo [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YATSUO, Tsutomu; (JP).
HARADA, Shinsuke; (JP).
FUKUDA, Kenji; (JP).
OKAMOTO, Mitsuo; (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-055868 02.03.2006 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH BUILT-IN SCHOTTKY DIODE AND METHOD FOR MANUFACTURING SUCH TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE MOS DE CARBURE DE SILICIUM AVEC DIODE DE SCHOTTKY INTEGREE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) ショットキーダイオードを内蔵した炭化ケイ素MOS電界効果トランジスタおよびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A SiC vertical MOSFET is provided with a channel region, and a base region inverted into n-type by ion implantation, in a low concentration p-type deposition film. A cell having a built-in Shottky diode region is arranged at least on a part of an element cell constituting the SiC vertical MOSFET. A second n-type base layer is formed on the built-in Shottky diode region by converting (inverting) the p-type deposition layer into n-type by n-type impurity ion implantation from the surface. The second n-type base layer penetrates a second deficient section arranged on a high-concentration gate layer and a low-concentration p-type deposition layer formed thereon, and reaches an n-type drift layer of the second deficient section. A low on-resistance Shottky diode constituted with a source electrode connected by forming a Schottky barrier is incorporated in a surface exposed portion of the second n-type base layer.
(FR)La présente invention concerne un MOSFET vertical à SiC, muni d'une région de canal et d'une région de base inversée en type n par implantation d'ion, dans un film de dépôt de type p à faible concentration. Une cellule ayant une région de Schottky intégrée est placée au moins sur une partie d'une cellule d'élément constituant le MOSFET vertical à SiC. Une seconde couche de base de type n est formée sur la région de diode de Schottky intégrée en convertissant (inversant) la couche de dépôt de type p en type n par une implantation d'ions à impuretés de type n depuis la surface. La seconde couche de base de type n pénètre dans une seconde section déficiente placée sur une couche de grille à forte concentration et une couche de dépôt de type p à faible concentration par-dessus et atteint une couche de déplacement de type n de la seconde section déficiente. Une diode de Schottky à faible résistance constituée d'une électrode source reliée en formant une barrière de Schottky est incorporée dans une partie exposée de surface de la seconde couche de base de type n.
(JA) 本発明は、低濃度p型堆積膜内にチャネル領域とイオン注入によってn型に打ち返したベース領域を備えたSiC縦型MOSFETを構成する要素セルの少なくとも一部に内蔵ショットキーダイオード領域を具備したセルを配する。この内蔵ショットキーダイオード領域は、高濃度ゲート層に設けられた第2の欠如部、その上に形成された低濃度p型堆積層を貫通して前記第2の欠如部のn型ドリフト層に達する第2のn型ベース層が表面からのn型不純物のイオン注入によってp型堆積層をn型に反転(打ち返し)して形成され、該第2のn型ベース層の表面露出部分にショットキーバリアをなして接続されるソース電極から構成された低オン抵抗のショットキーダイオードを内蔵する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)