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1. (WO2007099428) INTERCONNEXIONS EN METAL DANS UN MATERIAU DIELECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/099428    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/000455
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 26.02.2007
CIB :
H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS [FR/FR]; 850, rue Jean Monnet, F-38920 Crolles (FR) (Tous Sauf US).
KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL/NL]; Groenewoudseweg 1, NL-5621 BA Eindhoven (NL) (Tous Sauf US).
TORRES, Joaquin [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
ARNAL, Vincent [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
GOSSET, Laurent-Georges [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
BESLING, Wim [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : TORRES, Joaquin; (FR).
ARNAL, Vincent; (FR).
GOSSET, Laurent-Georges; (FR).
BESLING, Wim; (FR)
Mandataire : VERDURE, Stéphane; Cabinet Plasseraud, 52, rue de la Victoire, F-75440 Paris Cedex 9 (FR)
Données relatives à la priorité :
06 290 339.8 28.02.2006 EP
Titre (EN) METAL INTERCONNECTS IN A DIELECTRIC MATERIAL
(FR) INTERCONNEXIONS EN METAL DANS UN MATERIAU DIELECTRIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Method for manufacturing a semiconductor device comprising an interconnect comprising electrically conductive portions, in a dielectric layer made of a first dielectric material. A trench is formed in the dielectric layer. The method further comprises removing exposed portions of the dielectric layer which form the side walls of the trench and depositing a dielectric liner on the side walls of the trench, said liner being made of a second dielectric material.
(FR)Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur comportant une interconnexion ayant des parties conductrices dans une couche diélectrique faite d'un premier matériau diélectrique. Une tranchée est gravée dans la couche diélectrique. Le procédé comprend également les étapes consistant à enlever les parties exposées de la couche diélectrique qui forment les parois latérales de la tranchée et à déposer un revêtement diélectrique fait d'un second matériau diélectrique sur lesdites parois latérales.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)