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1. (WO2007099229) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE DOPÉ P.
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/099229    N° de la demande internationale :    PCT/FR2007/000363
Date de publication : 07.09.2007 Date de dépôt international : 28.02.2007
CIB :
H01L 51/52 (2006.01)
Déposants : COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE [FR/FR]; 25, rue Leblanc, Immeuble "Le Ponant D", F-75015 Paris (FR) (Tous Sauf US).
BEN KHALIFA, Mohamed [TN/IT]; (IT) (US Seulement).
VAUFREY, David [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : BEN KHALIFA, Mohamed; (IT).
VAUFREY, David; (FR)
Mandataire : HECKE, Gérard; Cabinet Hecke, WTC Europole, 5, place Robert Schuman, Boîte postale 1537, F-38025 Grenoble Cedex 1 (FR)
Données relatives à la priorité :
0650683 28.02.2006 FR
Titre (EN) ELECTRONIC COMPONENT COMPRISING A P-DOPED ORGANIC SEMICONDUCTOR
(FR) COMPOSANT ÉLECTRONIQUE À SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE DOPÉ P.
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to an electronic component comprising a layer of an organic semiconductor material in which a dopant is dispersed, the energy difference between the output work of the dopant and the HOMO level of the organic semiconductor material being lower than 0.5eV. The dopant is an atomic element having an evaporation temperature lower than 13000C, at a pressure of 10-8 Torr. The invention eliminates any toxicity problems related to usual organic acceptor dopants, and especially applies to organic light-emitting diodes.
(FR)Composant électronique comprenant une couche en matériau organique semiconducteur dans laquelle est dispersé un dopant dont la différence énergétique entre le travail de sortie du dopant et du niveau HOMO dudit matériau semi-conducteur organique est inférieur à 0,5eV. Le dopant est un élément atomique, ayant une température d'évaporation inférieure à 13000C, pour une pression de 10-8 Torr. L'invention permet d'éviter les problèmes de toxicité liés aux dopants accepteurs usuels organiques; elle s'applique notamment aux diodes électroluminescentes organiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)