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1. WO2007098863 - Procede de fabrication de composants piezoelectriques integres

Numéro de publication WO/2007/098863
Date de publication 07.09.2007
N° de la demande internationale PCT/EP2007/001344
Date du dépôt international 16.02.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 22.12.2007
CIB
G01L 9/00 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
LMESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
9Mesure de la pression permanente, ou quasi permanente d'un fluide ou d'un matériau solide fluent par des éléments électriques ou magnétiques sensibles à la pression; Transmission ou indication par des moyens électriques ou magnétiques du déplacement des éléments mécaniques sensibles à la pression, utilisés pour mesurer la pression permanente ou quasi permanente d'un fluide ou d'un matériau solide fluent
B81B 3/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
BDISPOSITIFS OU SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE, p.ex. DISPOSITIFS MICROMÉCANIQUES
3Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p.ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
CPC
B81B 2201/0264
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2201Specific applications of microelectromechanical systems
02Sensors
0264Pressure sensors
B81C 1/00246
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00222Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
00246Monolithic integration, i.e. micromechanical structure and electronic processing unit are integrated on the same substrate
B81C 2203/0742
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2203Forming microstructural systems
07Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
0707Monolithic integration, i.e. the electronic processing unit is formed on or in the same substrate as the micromechanical structure
0742Interleave, i.e. simultaneously forming the micromechanical structure and the CMOS circuit
G01L 9/0042
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0042Constructional details associated with semiconductive diaphragm sensors, e.g. etching, or constructional details of non-semiconductive diaphragms
G01L 9/0054
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
9Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements
0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
0051using variations in ohmic resistance
0052of piezoresistive elements
0054integral with a semiconducting diaphragm
Déposants
  • ATMEL GERMANY GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • WUERTZ, Alida [DE]/[DE] (UsOnly)
Inventeurs
  • WUERTZ, Alida
Mandataires
  • MÜLLER, Wolf-Christian
Données relatives à la priorité
10 2006 008 584.124.02.2006DE
Langue de publication allemand (DE)
Langue de dépôt allemand (DE)
États désignés
Titre
(DE) FERTIGUNGSPROZESS FÜR INTEGRIERTE PIEZO-BAUELEMENTE
(EN) MANUFACTURING PROCESS FOR INTEGRATED PIEZOELECTRIC COMPONENTS
(FR) Procede de fabrication de composants piezoelectriques integres
Abrégé
(DE)
Es wird ein einfaches Verfahren zur Herstellung von integrierten mikro- elektro-mechanischen Bauelementen bereitgestellt, bei dem zunächst einer Siliziumschicht (2) auf einer Isolatorschicht (1), dann eine piezoresistive Schicht (7) auf oder in der Siliziumschicht (2) und anschließend mindestens einer Ätzöffnung (3) zum Ätzen wenigstens eines Hohlraums (5) im Wesent- liehen innerhalb der Siliziumschicht (2) hergestellt wird. Durch Anordnen von zusätzlichen vertikalen und horizontalen Ätzstoppschichten wird die Form des Hohlraums (5) in der Siliziumschicht (2) vorgegeben und der Ätzvorgang gut reproduzierbar. Das Verfahren eignet sich, um insbesondere mit den zur Signalaufbereitung und Signalverarbeitung nötigen Schaltungskomponenten in Standardfertigungsprozesse integriert zu werden.
(EN)
Provision is made of a simple method for manufacturing integrated microelectromechanical components, in which first a silicon layer (2) on an isolator layer (1), then a piezoresistive layer (7) on or in the silicon layer (2) and subsequently at least one etching opening (3) for etching at least one hollow space (5) substantially inside the silicon layer (2) are manufactured. The shape of the hollow space (5) in the silicon layer (2) is determined, and the etching process can be reproduced easily, by the arrangement of additional vertical and horizontal etch stop layers. The method is suitable for being integrated in standard manufacturing processes in particular with the circuit components necessary for signal processing.
(FR)
L'invention concerne un procédé simple de fabrication de composants micro-électro-mécaniques intégrés dans lequel une couche de silicium (2) est d'abord réalisée sur une couche d'isolant (1), une couche piézorésistive (7) est ensuite réalisée sur ou dans la couche de silicium (2) et au moins une ouverture de gravure (3) destinée à la gravure d'au moins un espace creux (5) essentiellement à l'intérieur de la couche de silicium (2) est d'finalement réalisée. En disposant des couches verticales et horizontales supplémentaires anti-gravure, on définit la forme de l'espace creux (5) dans la couche de silicium (2) et l'opération de gravure est bien reproductible. Le procédé convient pour intégrer dans des procédés de fabrication normalisés en particulier les composants de circuits nécessaires pour la préparation de signaux et le traitement de signaux.
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