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1. (WO2007098493) DÉTECTEUR DE PHOTONS À PANNEAU PLAT D'AIRE IMPORTANTE AVEC PIXELS HÉMISPHÉRIQUES ET COUVERTURE TOTALE DE L'AIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/098493    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/062616
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 22.02.2007
CIB :
H01J 43/30 (2006.01), H01L 31/00 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 11th Floor, Oakland, CA 94607 (US) (Tous Sauf US).
FERENC, Daniel [HR/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : FERENC, Daniel; (US)
Mandataire : O'BANION, John, P.; O'Banion & Ritchey LLP, 400 Capitol Mall, Suite 1550, Sacramento, CA 95814 (US)
Données relatives à la priorité :
60/776,054 22.02.2006 US
Titre (EN) LARGE-AREA FLAT-PANEL PHOTON DETECTOR WITH HEMISPHERICAL PIXELS AND FULL AREA COVERAGE
(FR) DÉTECTEUR DE PHOTONS À PANNEAU PLAT D'AIRE IMPORTANTE AVEC PIXELS HÉMISPHÉRIQUES ET COUVERTURE TOTALE DE L'AIRE
Abrégé : front page image
(EN)A photo detector with a flat panel vacuum enclosure with a window including hemispherical cavities coated with photocathode material to convert photons into photoelectrons. The electrons are focused from the hemispherical photocathodes to their centers where they are detected in small electron sensors. Reflectors in dead areas between the hemispheres direct light to the active hemispherical photocathodes which leads to full area coverage. The result is that the entire panel surface is active in photon detection, and the information is concentrated to a very small area of the electron sensors. A voltage plate simultaneously distributes the anode and cathode potentials to all of the pixels in the panel. In one embodiment, the photoelectrons are detected with a scintillator and Geiger-mode avalanche photodiodes (G-APD).
(FR)La présente invention concerne un photodétecteur avec une enceinte à vide à panneau plat avec une fenêtre comportant des cavités hémisphériques recouvertes d'un matériau de photocathode pour convertir les photons en photoélectrons. Les électrons sont focalisés depuis les photocathodes hémisphériques vers leurs centres où ils sont détectés dans de petits capteurs d'électrons. Des réflecteurs dans les aires mortes entre les hémisphères dirigent la lumière vers les photocathodes hémisphériques actives, ce qui permet une couverture totale de l'aire. Le résultat est que la totalité de la surface du panneau présente une détection active des photons, et que les informations sont concentrées vers une aire très faible des capteurs. Une plaque de tension distribue simultanément les potentiels d'anode et de cathode à tous les pixels du panneau. Dans un mode de réalisation, les photoélectrons sont détectés avec un scintillateur et des photodiodes à avalanche en mode Geiger (G-APD).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)