WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2007098459) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC UNE COUCHE D'OXYDE CONTENANT DE L'AZOTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/098459    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/062464
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 21.02.2007
CIB :
H01L 21/00 (2006.01)
Déposants : TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED [US/US]; P.o. Box 655474, Mail Station 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US) (Tous Sauf US).
NIIMI, Hiroaki [JP/US]; (US) (US Seulement).
JACOBS, Jarvis, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
LAAKSONEN, Reima, Tapani [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NIIMI, Hiroaki; (US).
JACOBS, Jarvis, B.; (US).
LAAKSONEN, Reima, Tapani; (US)
Mandataire : FRANZ, Warren, L.; Texas Instruments Incorporated, Deputy General Patent Counsel, P.O. Box 655474, MS 3999, Dallas, TX 75265-5474 (US)
Données relatives à la priorité :
11/359,120 21.02.2006 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE WITH NITROGEN CONTAINING OXIDE LAYER
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR AVEC UNE COUCHE D'OXYDE CONTENANT DE L'AZOTE
Abrégé : front page image
(EN)A gate structure (240) of a MOS transistor or the like in a semiconductor integrated circuit has a gate electrode (248) located over a nitrided gate dielectric (243) on a substrate (210); and a nitrided region (310) formed over a sidewall of the nitrided gate dielectric.
(FR)La structure de gâchette (240) d'un transistor MOS ou similaire selon l'invention dans un circuit intégré semi-conducteur comporte une électrode de gâchette (248) située sur un diélectrique de gâchette (243) nitruré sur un substrat (210), et une zone nitrurée (310) disposée sur une paroi latérale du diélectrique de gâchette nitruré.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)