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1. (WO2007098233) CONTACTS A RAPPORTS D'ASPECT ELEVES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/098233    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/004564
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 20.02.2007
CIB :
H01L 21/311 (2006.01)
Déposants : MICRON TECHNOLOGY, INC. [US/US]; 8000 S. Federal Way, Boise, ID 83716-9632 (US) (Tous Sauf US).
WILSON, Aaron, R. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : WILSON, Aaron, R.; (US)
Mandataire : BROOKS, Edward, J., III; Brooks & Cameron, PLLC, 1221 Nicollet Avenue, Suite 500, Minneapolis, MN 55403 (US)
Données relatives à la priorité :
11/358,659 21.02.2006 US
Titre (EN) HIGH ASPECT RATIO CONTACTS
(FR) CONTACTS A RAPPORTS D'ASPECT ELEVES
Abrégé : front page image
(EN)A process for etching a insulating layer to produce an opening having an aspect ratio of at least 15:1 by supplying a first gaseous etchant having at least fifty (50) percent He to a plasma etch reactor, and exposing the insulating layer to a plasma of the first gaseous etchant. Use of the first gaseous etchant reduces the occurrence of twisting in openings in insulating layers having an aspect ratio of at least 15:1.
(FR)La présente invention concerne un procédé d'attaque chimique d'une couche isolante destiné à produire une ouverture ayant un rapport d'aspect d'au moins 15/1 en fournissant un premier agent gazeux d'attaque chimique comportant au moins cinquante (50) pour cent de He à un réacteur d'attaque au plasma, et en exposant la couche isolante à un plasma dudit agent. L'utilisation dudit agent réduit l'occurrence d'une torsion dans les ouvertures des couches isolantes ayant un rapport d'aspect d'au moins 15/1.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)