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1. (WO2007098215) procede de production de dispositifs optoelectroniques semipolaires (AL,IN,GA,B) de type N
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/098215    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/004533
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 20.02.2007
CIB :
C30B 33/06 (2006.01)
Déposants : THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor, Oakland, CA 94607 (US) (Tous Sauf US).
ZHONG, Hong [CN/US]; (US) (US Seulement).
KAEDING, John, Francis [US/US]; (US) (US Seulement).
SHARMA, Rajat [IN/US]; (US) (US Seulement).
SPECK, James, Stephen [US/US]; (US) (US Seulement).
DENBAARS, Steven, P. [US/US]; (US) (US Seulement).
NAKAMURA, Shuji [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : ZHONG, Hong; (US).
KAEDING, John, Francis; (US).
SHARMA, Rajat; (US).
SPECK, James, Stephen; (US).
DENBAARS, Steven, P.; (US).
NAKAMURA, Shuji; (US)
Mandataire : GATES, George, H.; Gates & Cooper Llp, 6701 Center Drive West, Suite 1050, Los Angeles, CA 90045 (US)
Données relatives à la priorité :
60/774,467 17.02.2006 US
Titre (EN) METHOD FOR GROWTH OF SEMIPOLAR (AL,IN,GA,B)N OPTOELECTRONIC DEVICES
(FR) procede de production de dispositifs optoelectroniques semipolaires (AL,IN,GA,B) de type N
Abrégé : front page image
(EN)A method of fabricating an optoelectronic device, comprising growing an active layer of the device on an oblique surface of a suitable material, wherein the oblique surface comprises a facetted surface. The present invention also discloses a method of fabricating the facetted surfaces. One fabrication process comprises growing an epitaxial layer on a suitable material, etching the epitaxial layer through a mask to form the facets having a specific crystal orientation, and depositing one or more active layers on the facets. Another method comprises growing a layer of material using a lateral overgrowth technique to produce a facetted surface, and depositing one or more active layers on the facetted surfaces. The facetted surfaces are typically semipolar planes.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique, comprenant de faire croître une couche active du dispositif sur une surface oblique d'un matériau adapté, dans laquelle la surface oblique comprend une surface à facettes. La présente invention présente aussi un procédé de fabrication des surfaces à facettes. Un procédé de fabrication comprend de faire croître un couche épitaxiale sur un matériau adapté, de graver la couche épitaxiale à travers un masque de manière à former les facettes ayant une orientation cristalline spécifique, et de déposer une ou plusieurs couches actives sur les facettes. Un autre procédé comprend de faire croître une couche de matériau en utilisant une technique de surcroissance afin de produire une surface à facettes, et de déposer une ou plusieurs couches actives sur les surfaces à facettes. Les surfaces à facettes sont typiquement des plans semi-polaires.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)