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1. (WO2007098138) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE DE CORRESPONDANCE DE RÉSEAU ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/098138    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/004335
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 21.02.2007
CIB :
H01L 29/15 (2006.01)
Déposants : MEARS TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 1100 Winter Street, Suite 4700, Waltham, Massachusetts 02451 (US) (Tous Sauf US).
DUKOVSKI, Illija [MK/US]; (US) (US Seulement).
STEPHENSON, Robert J. [CA/US]; (US) (US Seulement).
YIPTONG, Jean Augustin Chan Sow Fook [MU/US]; (US) (US Seulement).
HALILOV, Samed [RU/US]; (US) (US Seulement).
MEARS, Robert J. [GB/US]; (US) (US Seulement).
HUANG, Xiangyang [RU/US]; (US) (US Seulement).
HYTHA, Marek [CZ/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : DUKOVSKI, Illija; (US).
STEPHENSON, Robert J.; (US).
YIPTONG, Jean Augustin Chan Sow Fook; (US).
HALILOV, Samed; (US).
MEARS, Robert J.; (US).
HUANG, Xiangyang; (US).
HYTHA, Marek; (US)
Mandataire : REGAN, Christopher F.; 255 South Orange Avenue, Suite 1401, P.O. Box 3791, Orlando, FL 32802-3791 (US)
Données relatives à la priorité :
60/775,287 21.02.2006 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING A LATTICE MATCHING LAYER AND ASSOCIATED METHODS
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE COUCHE DE CORRESPONDANCE DE RÉSEAU ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device may include a first monocrystalline layer comprising a first material having a first lattice constant. A second monocrystalline layer may include a second material having a second lattice constant different than the first lattice constant. The device may also include a lattice matching layer between the first and second monocrystalline layers and comprising a superlattice. The superlattice may include a plurality of groups of layers, and each group of layers may include a plurality of stacked semiconductor monolayers defining a semiconductor base portion and at least one non-semiconductor monolayer thereon. The at least one non-semiconductor monolayer may be constrained within a crystal lattice of adjacent base semiconductor portions, and at least some semiconductor atoms from opposing base semiconductor portions may be chemically bound together through the at least one non-semiconductor monolayer therebetween.
(FR)Le dispositif semi-conducteur selon l'invention peut comprendre une première couche monocristalline comprenant un premier matériau présentant une première constante de réseau. Une seconde couche monocristalline peut comprendre un second matériau dont la seconde constante de réseau est différente de la première constante de réseau. Le dispositif peut également comprendre une couche de correspondance de réseaux entre les première et seconde couches monocristallines et comprenant un réseau superposé. Le réseau superposé peut comprendre une pluralité de groupes de couches, et chaque groupe de couches peut comprendre une pluralité de monocouches semi-conductrices empilées définissant une partie de base semi-conductrice et sur lesquelles est disposée au moins une monocouche non semi-conductrice. La ou les monocouches non semi-conductrices peuvent être contraintes à l'intérieur d'un réseau cristallin de parties semi-conductrices de base adjacentes, et au moins certains atomes semi-conducteurs provenant de parties de base semi-conductrices opposées peuvent être reliés chimiquement entre eux via la ou les monocouches non semi-conductrices intercalées.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)