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1. (WO2007098076) DISPOSITIFS MOSFET À TRANCHÉE DE GRILLE BLINDÉE (SGT) ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/098076    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/004234
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 17.02.2007
CIB :
H01L 29/76 (2006.01)
Déposants : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LTD. [--/US]; Canon's Court, 22 Victoria Street, Hamilton HM12 (BM) (Tous Sauf US)
Inventeurs : BHALLA, Anup; (US).
LUI, Sik, K.; (US)
Mandataire : LIN, Bo-in; 13445 Mandoli Drive, Los Altos Hills, CA 94022 (US)
Données relatives à la priorité :
11/356,944 17.02.2006 US
Titre (EN) SHIELDED GATE TRENCH (SGT) MOSFET DEVICES AND MANUFACTURING PROCESSES
(FR) DISPOSITIFS MOSFET À TRANCHÉE DE GRILLE BLINDÉE (SGT) ET PROCÉDÉS DE FABRICATION
Abrégé : front page image
(EN)This invention discloses a semiconductor power device that includes a plurality of power transistor cells surrounded by a trench opened in a semiconductor substrate. At least one of the cells constituting an active cell has a source region disposed next to a trenched gate electrically connecting to a gate pad and surrounding the cell. The trenched gate further has a bottom-shielding electrode filled with a gate material disposed below and insulated from the trenched gate. At least one of the cells constituting a source-contacting cell • surrounded by the trench with a portion functioning as a source connecting trench is filled with the gate material for electrically connecting between the bottom-shielding electrode and a source metal disposed directly on top of the source connecting trench. The semiconductor power device further includes an insulation protective layer disposed on top of the semiconductor power device having a plurality of source openings on top of the source region and the source connecting trench provided for electrically connecting to the source metal and at least a gate opening provided for electrically connecting the gate pad to the trenched gate.
(FR)La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur de puissance qui comporte une pluralité de cellules de transistors de puissance entourée par une tranchée ouverte dans un substrat semi-conducteur. Au moins une des cellules constituant une cellule active comporte une zone source disposée près d'une grille en tranchée connectée électriquement à une pastille de grille et entourant la cellule. La grille en tranchée comporte en outre une électrode de blindage inférieure remplie d'un matériau de gâchette disposé en dessous et isolé de la grille en tranchée. Au moins l'une des cellules constituant une cellule de contact de source entourée par la tranchée avec une partie servant de tranchée connectant la source est remplie avec le matériau de gâchette pour être connectée électriquement entre l'électrode de blindage inférieure et un métal de source disposé directement sur la tranchée connectant la source. Le dispositif semi-conducteur de puissance comprend en outre une couche isolante protectrice disposée sur le dispositif semi-conducteur de puissance comportant une pluralité d'ouvertures de source sur la zone source et la tranchée connectant la source, disposée pour être connectée électriquement au métal de source, et au moins une ouverture de grille disposée pour connecter électriquement la pastille de grille à la grille en tranchée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)