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1. (WO2007097882) ANTENNE DE CORRECTION A FENTE BISEAUTEE CHARGEE FENDUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/097882    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/002345
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 30.01.2007
CIB :
H01Q 13/10 (2006.01)
Déposants : HARRIS CORPORATION [US/US]; 1025 W. Nasa Blvd., Ms A-11l, Melbourne, FL 32919 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : MORTON, Jacob; (US)
Mandataire : YATSKO, Michael, S.; Harris Corporation, 1025 W. Nasa Blvd., MS A-11l, Melbourne, FL 32919 (US)
Données relatives à la priorité :
11/358,146 21.02.2006 US
Titre (EN) SLIT LOADED TAPERED SLOT PATCH ANTENNA
(FR) ANTENNE DE CORRECTION A FENTE BISEAUTEE CHARGEE FENDUE
Abrégé : front page image
(EN)Patch antenna (100) for a wireless communications device has a reduced size. The patch antenna is operable on a fundamental frequency f0 and a first harmonic f1 of the fundamental frequency, with substantially co-located peak gain directions on both frequencies. The patch antenna (100) is formed from a conductive ground plane (102) of generally rectangular shape. A first aperture (108) provided in the conductive ground plane member (102) defines a bow-tie shape. Additional elongated apertures (118, 120) are provided for reactive loading. The elongated apertures (118, 120) disrupt the phasing of surface currents within the conductive ground plane member (102) around the periphery of the first aperture (108) .
(FR)La présente invention concerne une antenne de correction (100) pour un dispositif de communication sans fil ayant une taille réduite. L'antenne de correction peut être activée sur une fréquence fondamentale f0 et un premier harmonique f1 de la fréquence fondamentale, avec des directions de gain de crête sensiblement co-localisées sur les deux fréquences. L'antenne de correction (100) est formée à partir d'un plan de masse conducteur (102) de forme généralement rectangulaire. Une première ouverture (108) aménagée dans l'élément plan de masse conducteur (102) a la forme d'un nœud papillon. Des ouvertures allongées (118, 120) supplémentaires sont réalisées pour le chargement réactif. Les ouvertures allongées (118, 120) perturbent la mise en phase des courants de surface dans l'élément plan de masse conducteur (102) autour de la périphérie de la première ouverture (108).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)