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1. (WO2007097822) AMÉLIORATION DE SOURCES DISTANTES DE PLASMA POUR NETTOYER LES FILMS DIÉLECTRIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/097822    N° de la demande internationale :    PCT/US2006/061154
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 21.11.2006
CIB :
B08B 6/00 (2006.01), B08B 9/00 (2006.01)
Déposants : APPLIED MATERIALS, INC. [US/US]; 3050 Bowers Avenue, Santa Clara, California 95054 (US) (Tous Sauf US).
NOWAK, Thomas [US/US]; (US) (US Seulement).
YIM, Kang Sub [KR/US]; (US) (US Seulement).
TANG, Sum-yee Betty [CN/US]; (US) (US Seulement).
LEE, Kwangduk Douglas [KR/US]; (US) (US Seulement).
NGUYEN, Vu Ngoc Tran [US/US]; (US) (US Seulement).
SINGLETON, Dennis [US/US]; (US) (US Seulement).
SEAMONS, Martin Jay [US/US]; (US) (US Seulement).
JANAKIRAMAN, Karthik [IN/US]; (US) (US Seulement).
BALASUBRAMANIAN, Ganesh [IN/US]; (US) (US Seulement).
AYOUB, Mohamed [US/US]; (US) (US Seulement).
YEH, Wendy H. [US/US]; (US) (US Seulement).
DEMOS, Alexandros T. [US/US]; (US) (US Seulement).
M'SAAD, Hichem [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : NOWAK, Thomas; (US).
YIM, Kang Sub; (US).
TANG, Sum-yee Betty; (US).
LEE, Kwangduk Douglas; (US).
NGUYEN, Vu Ngoc Tran; (US).
SINGLETON, Dennis; (US).
SEAMONS, Martin Jay; (US).
JANAKIRAMAN, Karthik; (US).
BALASUBRAMANIAN, Ganesh; (US).
AYOUB, Mohamed; (US).
YEH, Wendy H.; (US).
DEMOS, Alexandros T.; (US).
M'SAAD, Hichem; (US)
Mandataire : PATTERSON, B Todd; Patterson & Sheridan LLP, 3040 Post Oak Blvd., Suite 1500, Houston, Texas 77056 (US)
Données relatives à la priorité :
60/775,414 21.02.2006 US
11/508,544 23.08.2006 US
Titre (EN) ENHANCEMENT OF REMOTE PLASMA SOURCE CLEAN FOR DIELECTRIC FILMS
(FR) AMÉLIORATION DE SOURCES DISTANTES DE PLASMA POUR NETTOYER LES FILMS DIÉLECTRIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Methods for cleaning semiconductor processing chambers used to process carbon-containing films, such as amorphous carbon films, barrier films comprising silicon and carbon, and low dielectric constant films including silicon, oxygen, and carbon are provided. The methods include using a remote plasma source to generate reactive species that clean interior surfaces of a processing chamber in the absence of RF power in the chamber. The reactive species are generated from an oxygen-containing gas, such as O2, and/or a halogen-containing gas, such as NF3. An oxygen-based ashing process may also be used to remove carbon deposits from the interior surfaces of the chamber before the chamber is exposed to the reactive species from the remote plasma source.
(FR)L'invention porte sur des procédés de nettoyage de chambres de traitement de semi-conducteurs y compris des films contenant du carbone tels que des films de carbone amorphe, des films barrière contenant du silicium et du carbone et des films à faible constante diélectrique contenant du silicium, de l'oxygène et du carbone. Lesdits procédés utilisent une source distante de plasma pour créer des espèces réactives qui nettoient les surfaces intérieures de la chambre de traitement sans nécessiter de source de RF dans la chambre. Lesdites espèces réactives sont obtenues à partir d'un gaz riche en oxygène, par exemple en O2, et/ou à partir d'un gaz riche en halogène, par exemple en NF3. On peut également utiliser un procédé de calcination à base d'oxygène pour éliminer les dépôts de carbone avant d'exposer la chambre aux espèces réactives provenant de la source distante de plasma.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)