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1. (WO2007097367) CATALYSEUR DE CROISSANCE DE NANOSTRUCTURE CARBONÉE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE NANOSTRUCTURE CARBONÉE, GAZ BRUT ET GAZ SUPPORT POUR LA PRODUCTION DE LADITE NANOSTRUCTURE ET APPAREIL DE PRODUCTION DE LADITE NANOSTRUCTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2007/097367    N° de la demande internationale :    PCT/JP2007/053203
Date de publication : 30.08.2007 Date de dépôt international : 21.02.2007
CIB :
B01J 23/745 (2006.01), B01J 23/825 (2006.01), B01J 23/835 (2006.01), B01J 37/12 (2006.01), B01J 37/14 (2006.01), B01J 37/16 (2006.01), B82B 3/00 (2006.01), C01B 31/02 (2006.01)
Déposants : TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION [JP/JP]; 3-26, Koyama 1-chome Shinagawa-ku, Tokyo 1428558 (JP) (Tous Sauf US).
NAKAYAMA, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NAGASAKA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAKAI, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SUEKANE, Osamu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : NAKAYAMA, Yoshikazu; (JP).
NAGASAKA, Takeshi; (JP).
SAKAI, Toru; (JP).
SUEKANE, Osamu; (JP)
Mandataire : MIKI, Hisami; Haim-Senba 303 3-8, Kyutaromachi 2-chome Chuo-ku, Osaka-city Osaka 54100565 (JP)
Données relatives à la priorité :
2006-047961 24.02.2006 JP
Titre (EN) CATALYST FOR CARBON NANOSTRUCTURE GROWTH, PROCESS FOR PRODUCING CARBON NANOSTRUCTURE, RAW-MATERIAL GAS AND CARRIER GAS FOR PRODUCING THE SAME, AND APPARATUS FOR PRODUCING THE SAME
(FR) CATALYSEUR DE CROISSANCE DE NANOSTRUCTURE CARBONÉE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE NANOSTRUCTURE CARBONÉE, GAZ BRUT ET GAZ SUPPORT POUR LA PRODUCTION DE LADITE NANOSTRUCTURE ET APPAREIL DE PRODUCTION DE LADITE NANOSTRUCTURE
(JA) カーボンナノ構造物成長用触媒、カーボンナノ構造物の製造方法、同製造用原料ガスとキャリアガス及び同製造装置
Abrégé : front page image
(EN)A process for producing a carbon nanostructure in which the mechanism of continuous carbon nanostructure growth can be optimized and a high-quality carbon nanostructure can be produced; and a catalyst for carbon nanostructure growth which is for use in the production. The process for carbon nanostructure production, in which the length of the nanostructure can be continuously controlled, comprises feeding a carrier gas and a raw-material gas to a reaction chamber (4) to produce a carbon nanostructure (2) with a catalytic structure (6), wherein the concentrations of oxidizing gases contained in the carrier gas and raw-material gas, such as oxygen and water (in the case of raw-material acetylene gas, minor ingredients such as DMF and acetone, which are solvents), are regulated to a moderate value. Thus, a carbon nanostructure of good quality can be produced at a high efficiency.
(FR)L'invention concerne un procédé de production d'une nanostructure carbonée dans laquelle le mécanisme de croissance continue de nanostructure carbonée peut être optimisée et une nanostructure carbonée de haute qualité peut être produite; et un catalyseur de croissance de nanostructure carbonée destiné à être utilisé dans la production. Le procédé de production de nanostructure carbonée, dans lequel la longueur de la nanostructure peut être contrôlée en continu, consiste à alimenter un gaz support et un gaz brut dans une chambre de réaction (4) afin de produire une nanostructure carbonée (2) à l'aide d'une structure catalytique (6), les concentrations de gaz oxydants contenus dans le gaz support et le gaz brut, tel que l'oxygène et l'eau (dans le cas de gaz acétylène brut, des ingrédients mineurs tels que le DMF et l'acétone, qui sont des solvants), sont régulées à une valeur modérée. Ainsi, une nanostructure carbonée de bonne qualité peut être produite avec un rendement élevé.
(JA) カーボンナノ構造物の連続的成長メカニズムを最適化でき、高品質のカーボンナノ構造物を製造することのできるカーボンナノ構造物の製造方法、同製造に用いるカーボンナノ構造物成長用触媒、同製造用原料ガスとキャリアガス及び同製造装置を提供することを目的とする。  本発明に係る、連続的に長さを制御可能なカーボンナノ構造物製造においては、キャリアガスと原料ガスを反応室4に供給して触媒体6によりカーボンナノ構造物2を製造するとき、キャリアガスや原料ガス中の酸素、水分等の酸化性ガス(アセチレン原料ガスでは、溶剤であるDMF、アセトンの微量成分)の濃度を適度に制御することにより、良質のカーボンナノ構造物を高効率に製造することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)